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參數資料
型號: HY29F080G-12
廠商: HYNIX SEMICONDUCTOR INC
元件分類: DRAM
英文描述: x8 Flash EEPROM
中文描述: 1M X 8 FLASH 5V PROM, 120 ns, PDSO44
封裝: PLASTIC, SOP-44
文件頁數: 35/38頁
文件大小: 366K
代理商: HY29F080G-12
35
Rev. 6.1/May 01
HY29F080
Latchup Characteristics
Notes:
1. Includes all pins except V
CC
. Test conditions: V
CC
= 5.0V, one pin at a time.
TSOP Pin Capacitance
l
b
m
y
S
C
N
I
n
C
T
U
O
O
C
2
N
I
C
PSOP Pin Capacitance
l
b
m
y
S
C
N
I
n
C
T
U
O
O
C
2
N
I
C
Notes:
1. Sampled, not 100% tested.
2. Test conditions: T
A
= 25
o
C, f = 1.0 MHz.
Notes:
1. Sampled, not 100% tested.
2. Test conditions: T
A
= 25
o
C, f = 1.0 MHz.
Data Retention
n
/
n
o
o
p
c
s
e
D
o
e
p
m
u
m
0
0
1
i
M
m
u
m
0
+
0
0
1
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V
C
C
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t
U
V
m
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C
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-
-
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e
0
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a
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a
c
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P
p
u
t
S
=
=
=
t
e
T
p
y
6
T
x
a
M
5
1
9
t
U
F
p
F
p
F
p
a
a
p
a
C
a
C
t
p
n
l
r
o
t
p
V
N
V
O
V
N
I
0
e
a
a
p
T
U
0
5
8
2
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c
n
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0
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t
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=
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1
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R
a
D
n
r
P
m
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m
i
M
C
C
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PDF描述
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