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參數資料
型號: HY29F080G-12
廠商: HYNIX SEMICONDUCTOR INC
元件分類: DRAM
英文描述: x8 Flash EEPROM
中文描述: 1M X 8 FLASH 5V PROM, 120 ns, PDSO44
封裝: PLASTIC, SOP-44
文件頁數: 31/38頁
文件大小: 366K
代理商: HY29F080G-12
31
Rev. 6.1/May 01
HY29F080
AC CHARACTERISTICS
Figure 21. Sector Group Unprotect Timings
V
CC
RESET#
Data
CE#
WE#
OE#
A[9]
A[6]
A[1]
A[0]
A[19:17]
V
ID
SGA
0
SGA
1
0x00
t
VLHT
t
OESP
t
WPP2
t
ST
t
OE
Group Unprotect Cycle
Unprotect Verify Cycle
t
VLHT
V
ID
V
ID
t
CE
t
CSP
相關PDF資料
PDF描述
HY29F080T90 8 Megabit (1M x 8), 5 Volt-only, Flash Memory
HY29F080G-70 x8 Flash EEPROM
HY29F080G-90 x8 Flash EEPROM
HY29F080R-12 x8 Flash EEPROM
HY29F080R-70 x8 Flash EEPROM
相關代理商/技術參數
參數描述
HY29F080G-12E 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8 Flash EEPROM
HY29F080G-15 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8 Flash EEPROM
HY29F080G-15E 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8 Flash EEPROM
HY29F080G-15I 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8 Flash EEPROM
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