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參數資料
| 型號： | IRHG567110 |
| 英文描述： | TRANSISTOR | MOSFET | ARRAY | COMPLEMENTARY | 100V V(BR)DSS | 960MA I(D) | DIP |
| 中文描述： | 晶體管| MOSFET的|陣|互補| 100V的五（巴西）直| 960MA（丁）|雙酯 |
| 文件頁數： | 9/14頁 |
| 文件大小： | 184K |
| 代理商： | IRHG567110 |
www.irf.com
9
Pre-Irradiation
IRHG567110
Q
G
Q
GS
Q
GD
V
G
Charge
D.U.T.
V
DS
I
D
I
G
3mA
V
GS
.3
μ
F
50K
.2
μ
F
12V
Current Regulator
Same Type as D.U.T.
Current Sampling Resistors
+
-
12 V
Fig 13b.
Gate Charge Test Circuit
Fig 13a.
Basic Gate Charge Waveform
Fig 12c.
Maximum Avalanche Energy
Vs. Drain Current
Fig 12b.
Unclamped Inductive Waveforms
Fig 12a.
Unclamped Inductive Test Circuit
tp
V
(BR)DSS
I
AS
R
G
I
AS
0.01
t
p
D.U.T
L
VDS
+
-V
DD
DRIVER
A
15V
20V
GS
N-Channel
Q1,Q3
.
25
50
75
100
125
150
0
50
100
150
200
250
300
Starting T , Junction Temperature( C)
E
ID
0.7A
1.0A
1.6A
TOP
BOTTOM
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRHM150 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 25A I(D) | TO-254AA |
| IRHM250 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 25A I(D) | TO-254AA |
| IRHM450 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 11.5A I(D) | TO-254AA |
| IRH250 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 30A I(D) | TO-204AE |
| IRH254 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 250V V(BR)DSS | 19A I(D) | TO-204AE |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| IRHG567110SCS | 制造商:International Rectifier 功能描述:HIREL, HEXFET RHD - Bulk |
| IRHG567110SCV | 制造商:International Rectifier 功能描述:HIREL, HEXFET RHD - Bulk |
| IRHG57110 | 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 100V 1.6A 14PIN MO-036AB - Rail/Tube |
| IRHG57110SCS | 制造商:International Rectifier 功能描述:HIREL, HEXFET RHD - Bulk |
| IRHG57110SCV | 制造商:International Rectifier 功能描述:HIREL, HEXFET RHD - Bulk |
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