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參數(shù)資料
型號(hào): IRHG567110
英文描述: TRANSISTOR | MOSFET | ARRAY | COMPLEMENTARY | 100V V(BR)DSS | 960MA I(D) | DIP
中文描述: 晶體管| MOSFET的|陣|互補(bǔ)| 100V的五(巴西)直| 960MA(丁)|雙酯
文件頁(yè)數(shù): 9/14頁(yè)
文件大小: 184K
代理商: IRHG567110
www.irf.com
9
Pre-Irradiation
IRHG567110
Q
G
Q
GS
Q
GD
V
G
Charge
D.U.T.
V
DS
I
D
I
G
3mA
V
GS
.3
μ
F
50K
.2
μ
F
12V
Current Regulator
Same Type as D.U.T.
Current Sampling Resistors
+
-
12 V
Fig 13b.
Gate Charge Test Circuit
Fig 13a.
Basic Gate Charge Waveform
Fig 12c.
Maximum Avalanche Energy
Vs. Drain Current
Fig 12b.
Unclamped Inductive Waveforms
Fig 12a.
Unclamped Inductive Test Circuit
tp
V
(BR)DSS
I
AS
R
G
I
AS
0.01
t
p
D.U.T
L
VDS
+
-V
DD
DRIVER
A
15V
20V
GS
N-Channel
Q1,Q3
.
25
50
75
100
125
150
0
50
100
150
200
250
300
Starting T , Junction Temperature( C)
E
ID
0.7A
1.0A
1.6A
TOP
BOTTOM
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRHM150 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 25A I(D) | TO-254AA
IRHM250 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 25A I(D) | TO-254AA
IRHM450 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 11.5A I(D) | TO-254AA
IRH250 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 30A I(D) | TO-204AE
IRH254 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 250V V(BR)DSS | 19A I(D) | TO-204AE
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