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參數資料
型號： IS42LS81600A-7TI
英文描述： 16Meg x 8, 8Meg x16 & 4Meg x 32 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM
中文描述： 16Meg × 8，8Meg x16
文件頁數： 20/66頁
文件大小： 556K
代理商： IS42LS81600A-7TI
ISSI
20
Integrated Silicon Solution, Inc. — www.issi.com —
1-800-379-4774
ADVANCED INFORMATION
Rev. 00A
06/01/02
IS42S81600A, IS42S16800A, IS42S32400A
IS42LS81600A, IS42LS16800A, IS42LS32400A
DC ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(Recommended Operation Conditions unless otherwise noted.)
Symbol
I
DD5
Parameter
Auto-Refresh Current
Test Condition
t
RC
= t
RC
(
MIN
)
Speed
Min.
Max.
Unit
CAS
atency = 3
Com.
Ind.
Com.
Ind.
-7
-7
-10
-10
—
—
—
—
330
350
300
330
mA
mA
mA
mA
CAS
atency = 2
Com.
Ind.
Com.
Ind.
-7
-7
-10
-10
—
—
—
—
330
350
300
330
mA
mA
mA
mA
I
DD6
Self-Refresh Current
PASR=000 (full)
PASR=001 (2BK)
PASR=010 (1BK)
PASR=101 (1/2BK)
PASR=110 (1/4BK)
Self-Refresh Current
PASR=000 (full)
PASR=001 (2BK)
PASR=010 (1BK)
PASR=101 (1/2BK)
PASR=110 (1/4BK)
Self-Refresh Current
PASR=000 (full)
PASR=001 (2BK)
PASR=010 (1BK)
PASR=101 (1/2BK)
PASR=110 (1/4BK)
Standby Current n
Deep Power Down Mode
CKE
≤
0.2V, t
CSR
=
00
ts < 70
O
C
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
0.35
0.25
0.18
0.12
0.09
mA
mA
mA
mA
mA
I
DD6
CKE
≤
0.2V, , t
CSR
=
01
ts < 45
O
C
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
0.20
0.15
0.10
0.08
0.07
mA
mA
mA
mA
mA
I
DD6
CKE
≤
0.2V, , t
CSR
=
11
ts < 85
O
C
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
0.60
0.50
0.43
0.37
0.34
10
mA
mA
mA
mA
mA
μA
I
DD7
CKE
≤
0.2V
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PDF描述
IS42S16800A 16Meg x 8, 8Meg x16 & 4Meg x 32 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM
IS42S16800A-7B 16Meg x 8, 8Meg x16 & 4Meg x 32 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM
IS42S16800A-7BI 16Meg x 8, 8Meg x16 & 4Meg x 32 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM
IS42S16800A-7T 16Meg x 8, 8Meg x16 & 4Meg x 32 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM
IS42S16800A-7TI 16Meg x 8, 8Meg x16 & 4Meg x 32 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM
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