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參數資料
| 型號： | IS42LS81600A-7TI |
| 英文描述： | 16Meg x 8, 8Meg x16 & 4Meg x 32 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM |
| 中文描述： | 16Meg × 8，8Meg x16 |
| 文件頁數： | 5/66頁 |
| 文件大小： | 556K |
| 代理商： | IS42LS81600A-7TI |
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Integrated Silicon Solution, Inc. — www.issi.com —
1-800-379-4774
ADVANCED INFORMATION
Rev. 00A
06/01/02
5
ISSI
IS42S81600A, IS42S16800A, IS42S32400A
IS42LS81600A, IS42LS16800A, IS42LS32400A
PIN CONFIGURATIONS
54 pin TSOP - Type II for x16
PIN DESCRIPTIONS
A0-A11
Row Address Input
A0-A8, A10
Column Address Input
BA0, BA1
Bank Select Address
I/O0 to I/O15
Data I/O
CLK
System Clock Input
CKE
Clock Enable
CS
Chip Select
RAS
Row Address Strobe Command
CAS
Column Address Strobe Command
V
DD
I/O0
V
DD
Q
I/O1
I/O2
V
SS
Q
I/O3
I/O4
V
DD
Q
I/O5
I/O6
V
SS
Q
I/O7
V
DD
LDQM
WE
CAS
RAS
CS
BA0
BA1
A10
A0
A1
A2
A3
V
DD
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
54
53
52
51
50
49
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
V
SS
I/O15
V
SS
Q
I/O14
I/O13
V
DD
Q
I/O12
I/O11
V
SS
Q
I/O10
I/O9
V
DD
Q
I/O8
V
SS
NC
UDQM
CLK
CKE
NC
A11
A9
A8
A7
A6
A5
A4
V
SS
WE
Write Enable
LDQM
x16 Lower Bye, Input/Output Mask
UDQM
x16 Upper Bye, Input/Output Mask
V
DD
Power
Vss
Ground
V
DDQ
Power Supply for I/O Pin
Vss
Q
Ground for I/O Pin
NC
No Connection
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IS42S16800A | 16Meg x 8, 8Meg x16 & 4Meg x 32 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM |
| IS42S16800A-7B | 16Meg x 8, 8Meg x16 & 4Meg x 32 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM |
| IS42S16800A-7BI | 16Meg x 8, 8Meg x16 & 4Meg x 32 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM |
| IS42S16800A-7T | 16Meg x 8, 8Meg x16 & 4Meg x 32 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM |
| IS42S16800A-7TI | 16Meg x 8, 8Meg x16 & 4Meg x 32 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| IS42R16100E-7TL | 制造商:Integrated Silicon Solution Inc 功能描述: |
| IS42R16320D-7BL | 制造商:Integrated Silicon Solution Inc 功能描述: |
| IS42R16320D-7BLI | 制造商:Integrated Silicon Solution Inc 功能描述:DRAM Chip SDRAM 512M-Bit 32Mx16 2.5V 54-Pin TFBGA |
| IS42RM16160D-7BL | 功能描述:動態隨機存取存儲器 256M (16Mx16) 143MHz Mobile S動態隨機存取存儲器, 2.5v RoHS:否 制造商:ISSI 數據總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲容量:16 MB 最大時鐘頻率: 訪問時間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube |
| IS42RM16160D-7BLI | 功能描述:動態隨機存取存儲器 256M (16Mx16) 143MHz Mobile S動態隨機存取存儲器, 2.5v RoHS:否 制造商:ISSI 數據總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲容量:16 MB 最大時鐘頻率: 訪問時間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube |
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