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參數資料
| 型號： | LFX125EB-03F256C |
| 廠商： | Lattice Semiconductor Corporation |
| 文件頁數： | 29/119頁 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC FPGA 139K GATES 256-BGA |
| 標準包裝： | 90 |
| 系列： | ispXPGA® |
| 邏輯元件/單元數： | 1936 |
| RAM 位總計： | 94208 |
| 輸入/輸出數： | 160 |
| 門數： | 139000 |
| 電源電壓： | 2.3 V ~ 3.6 V |
| 安裝類型： | 表面貼裝 |
| 工作溫度： | 0°C ~ 85°C |
| 封裝/外殼： | 256-BGA |
| 供應商設備封裝： | 256-FPBGA（17x17） |
| 其它名稱： | 220-1237 |
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Lattice Semiconductor
ispXPGA Family Data Sheet
13
Figure 13. EBR Synchronous Read Timing Diagram
Synchronous Write: The WE signal controls the synchronous write operation. When the WE signal is high, the
write operation begins. Once the address and data are present and the Output Enable (OE) is active, a rising clock
edge (or falling edge depending on polarity) causes the data to be stored into the EBR. Figure 14 illustrates the
synchronous write timing.
Figure 14. EBR Synchronous Write Timing Diagram
Asynchronous Read: The WE signal controls the asynchronous read operation. When the WE signal is low, the
read operation begins. Shortly after the address is present, the stored data is available on the DATA port. Figure 15
illustrates the asynchronous read timing. For more information about the EBR, refer to TN1028 ispXPGA Memory
Figure 15. EBR Asynchronous Read Timing Diagram
WE
CLK
CE
DATA
ADDR
OE
Valid Data
Invalid Data
Valid Data
t
EBWEEN
t
EBADDS
t
EBCO
t
EBWES
t
EBCES
t
EBCPW
t
EBOEDIS
t
EBOEEN
t
EBCEH
t
EBWEH
t
EBWEDIS
t
EBADDH
WE
CLK
WRITE
DATA
ADDR
WRITE
t
EBWEH
t
EBADDS
t
EBADDH
t
EBDATAS
t
EBDATAH
t
EBPW
t
EBWES
WE
DATA
ADDR
OE
DATA1
Invalid Data
DATA1
ADDR0
ADDR1
ADDR2
DATA0
t
EBWEEN
t
EBARADO
t
EBOEDIS
t
EBOEEN
t
EBWEDIS
t
EBARAD_H
SELECT
DEVICES
DISCONTINUED
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PDF描述 |
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相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
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| LFX125EB-03F516C | 功能描述:FPGA - 現場可編程門陣列 139K 176 I/O ispJTAG RoHS:否 制造商:Altera Corporation 系列:Cyclone V E 柵極數量: 邏輯塊數量:943 內嵌式塊RAM - EBR:1956 kbit 輸入/輸出端數量:128 最大工作頻率:800 MHz 工作電源電壓:1.1 V 最大工作溫度:+ 70 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:FBGA-256 |
| LFX125EB-03F516I | 功能描述:FPGA - 現場可編程門陣列 139K 176 I/O ispJTAG RoHS:否 制造商:Altera Corporation 系列:Cyclone V E 柵極數量: 邏輯塊數量:943 內嵌式塊RAM - EBR:1956 kbit 輸入/輸出端數量:128 最大工作頻率:800 MHz 工作電源電壓:1.1 V 最大工作溫度:+ 70 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:FBGA-256 |
| LFX125EB-03FH516C | 功能描述:FPGA - 現場可編程門陣列 Use LFX125EB-03F516C RoHS:否 制造商:Altera Corporation 系列:Cyclone V E 柵極數量: 邏輯塊數量:943 內嵌式塊RAM - EBR:1956 kbit 輸入/輸出端數量:128 最大工作頻率:800 MHz 工作電源電壓:1.1 V 最大工作溫度:+ 70 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:FBGA-256 |
| LFX125EB-03FH516I | 功能描述:FPGA - 現場可編程門陣列 Use LFX125EB-03F516I RoHS:否 制造商:Altera Corporation 系列:Cyclone V E 柵極數量: 邏輯塊數量:943 內嵌式塊RAM - EBR:1956 kbit 輸入/輸出端數量:128 最大工作頻率:800 MHz 工作電源電壓:1.1 V 最大工作溫度:+ 70 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:FBGA-256 |
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