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參數(shù)資料
型號: MRF21180S
廠商: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC
元件分類: 功率晶體管
英文描述: 2 CHANNEL, S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
封裝: NI-1230S, CASE 375E-03, 5 PIN
文件頁數(shù): 10/12頁
文件大小: 356K
代理商: MRF21180S
7
MRF21180 MRF21180S
MOTOROLA RF DEVICE DATA
TYPICAL CHARACTERISTICS
20
-70
0
-20
-10
-20
-30
-40
-50
-60
15
10
5
0
-5
-10
-15
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) PEP
G
ps
,POWER
GAIN
(dB)
Figure 9. Two-Tone Power Gain versus
Output Power
Figure 10. Two-Tone Broadband Performance
G
ps
,POWER
GAIN
(dB),
,DRAIN
EFFICIENCY
(%)
η
INTERMODULA
TION
DIST
OR
TION
(dBc)
IMD,
f, FREQUENCY (MHz)
INPUT
RETURN
LOSS
(dB)
IRL,
Figure 11. Intermodulation Distortion
Products versus Two–Tone Spacing
Df, TONE SEPARATION (MHz)
INTERMODULA
TION
DIST
OR
TION
(dBc)
IMD,
Figure 12. 2-Carrier W-CDMA Spectrum
f, FREQUENCY (MHz)
(dB)
-IM3 @
3.84 MHz BW
+IM3 @
3.84 MHz BW
-ACPR @
3.84 MHz BW
+ACPR @
3.84 MHz BW
f1
3.84 MHz BW
f2
3.84 MHz BW
220
11
12.5
10
IDQ = 2100 mA
1700 mA
VDD = 28 Vdc
f1 = 2135 MHz, f2 = 2145 MHz
12.25
12
11.75
11.5
11.25
100
1900 mA
1500 mA
1300 mA
Gps
2190
10
35
2090
-33
-8
IRL
η
IMD
VDD = 28 Vdc
Pout = 170 W (PEP)
IDQ (ICQ) = 1700 mA
f1 = f - 5 MHz, f2 = f + 5 MHz
30
-13
25
-18
20
-23
15
-28
2170
2150
2130
2110
20
-55
-25
0.1
3rd Order
VDD = 28 Vdc
Pout = 170 W (PEP)
IDQ = 1700 mA
f1 = 2140 MHz - Df/2, f2 = 2140 MHz + Df/2
-30
-35
-40
-45
-50
10
1
5th Order
7th Order
相關PDF資料
PDF描述
MRF275G 2 CHANNEL, UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
MRF282SR1 S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
MRF282ZR1 S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
MRF284LR1 S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
MRF284LSR1 S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
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