欧美成人免费电影,国产欧美一区二区三区精品酒店,精品国产a毛片,色网在线免费观看

參數資料
型號: MRF21180S
廠商: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC
元件分類: 功率晶體管
英文描述: 2 CHANNEL, S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
封裝: NI-1230S, CASE 375E-03, 5 PIN
文件頁數: 9/12頁
文件大小: 356K
代理商: MRF21180S
MRF21180 MRF21180S
6
MOTOROLA RF DEVICE DATA
TYPICAL CHARACTERISTICS
η
Figure 3. 2-Carrier W-CDMA ACPR, IM3,
Power Gain and Drain Efficiency versus
Output Power
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) PEP
Figure 4. Intermodulation Distortion Products
versus Output Power
,DRAIN
EFFICIENCY
(%),
η
G
ps
,POWER
GAIN
(dB)
IM3
(dBc),
ACPR
(dBc)
f, FREQUENCY (MHz)
INPUT
RETURN
LOSS
(dB)
,DRAIN
EFFICIENCY
(%)
η
Figure 5. Intermodulation Distortion versus
Output Power
Figure 6. 2–Carrier W–CDMA Broadband
Performance
INTERMODULA
TION
DIST
OR
TION
(dBc)
IMD,
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) PEP
,DRAIN
EFFICIENCY
(%),
η
G
ps
,POWER
GAIN
(dB)
IM3
(dBc),
ACPR
(dBc),
IRL,
Pout, OUTPUT POWER (WATTS)
G
ps
,POWER
GAIN
(dB)
,DRAIN
EFFICIENCY
(%)
η
VDD, DRAIN SUPPLY (V)
Figure 7. CW Performance
INTERMODULA
TION
DIST
OR
TION
(dBc)
IMD,
,DRAIN
EFFICIENCY
(%)
η
INTERMODULA
TION
DIST
OR
TION
(dBc)
IMD,
Pout, OUTPUT POWER (WATTS Avg.) W-CDMA
Figure 8. Two–Tone Intermodulation
Distortion and Drain Efficiency versus Drain
Supply
50
0
30
1
-60
-30
Gps
ACPR
IM3
VDD = 28 Vdc, IDQ = 1700 mA
f1 = 2135 MHz, f2 = 2145 MHz
3.84 MHz Channel Bandwidth
Peak/Avg. = 8.3 dB @ 0.01% Probability (CCDF)
25
-35
20
-40
15
-45
10
-50
5
-55
10
220
-65
-25
10
5
45
3rd Order
η
VDD = 28 Vdc, IDQ = 1700 mA
f1 = 2135 MHz, f2 = 2145 MHz
-30
40
-35
35
-40
30
-45
25
-50
20
-55
15
-60
10
100
5th Order
7th Order
ACPR
2190
10
24
2090
-44
-9
IRL
Gps
η
IM3
VDD = 28 Vdc, Pout = 38 W (Avg.)
IDQ = 1700 mA
f1 = f - 5 MHz, f2 = f + 5 MHz
2-Carrier W-CDMA, 10 MHz Carrier Spacing
3.84 MHz Channel Bandwidth
Each Carrier Peak/Avg. = 8.3 dB @ 0.01% Probability (CCDF)
22
-14
20
-19
18
-24
16
-29
14
-34
12
-39
2170
2150
2130
2110
220
9.5
12.5
1
0
48
Gps
η
VDD = 28 Vdc
IDQ = 1700 mA
f = 2140 MHz
12
40
11.5
32
11
24
10.5
16
10
8
100
10
IMD
29
31
38
24
-32
-25
η
Pout = 170 W (PEP)
IDQ = 1700 mA
f1 = 2135 MHz, f2 = 2145 MHz
37
-26
36
-27
35
-28
34
-29
33
-30
32
-31
28
27
26
25
220
-50
-25
10
IDQ = 1300 mA
1500 mA
VDD = 28 Vdc
f1 = 2135 MHz
f2 = 2145 MHz
-30
-35
-40
-45
100
1700 mA
2100 mA
1900 mA
相關PDF資料
PDF描述
MRF275G 2 CHANNEL, UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
MRF282SR1 S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
MRF282ZR1 S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
MRF284LR1 S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
MRF284LSR1 S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
相關代理商/技術參數
參數描述
MRF212 功能描述:射頻放大器 RF Bipolar Trans RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 類型:Low Noise Amplifier 工作頻率:2.3 GHz to 2.8 GHz P1dB:18.5 dBm 輸出截獲點:37.5 dBm 功率增益類型:32 dB 噪聲系數:0.85 dB 工作電源電壓:5 V 電源電流:125 mA 測試頻率:2.6 GHz 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:QFN-16 封裝:Reel
MRF221 功能描述:射頻雙極電源晶體管 RF Transistor RoHS:否 制造商:M/A-COM Technology Solutions 配置:Single 直流集電極/Base Gain hfe Min:40 最大工作頻率:30 MHz 集電極—發射極最大電壓 VCEO:25 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:4 V 集電極連續電流:20 A 最大直流電集電極電流: 功率耗散:250 W 封裝 / 箱體:Case 211-11 封裝:Tray
MRF224 功能描述:射頻放大器 RF Bipolar Trans RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 類型:Low Noise Amplifier 工作頻率:2.3 GHz to 2.8 GHz P1dB:18.5 dBm 輸出截獲點:37.5 dBm 功率增益類型:32 dB 噪聲系數:0.85 dB 工作電源電壓:5 V 電源電流:125 mA 測試頻率:2.6 GHz 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:QFN-16 封裝:Reel
MRF227 制造商: 功能描述: 制造商:Motorola Inc 功能描述: 制造商:undefined 功能描述: 制造商:Motorola Inc 功能描述:Bipolar Junction Transistor, NPN Type, TO-39
MRF234 制造商:ASI 制造商全稱:ASI 功能描述:NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR
主站蜘蛛池模板: 张家界市| 鄂托克旗| 禹城市| 昭觉县| 小金县| 澄江县| 石河子市| 清新县| 芦溪县| 丰镇市| 台北县| 岳阳县| 昌邑市| 会理县| 雅江县| 长武县| 三原县| 女性| 徐汇区| 托克托县| 天津市| 乾安县| 阿拉善左旗| 镇康县| 喜德县| 邵东县| 婺源县| 山西省| 鄂温| 通城县| 海阳市| 外汇| 舞阳县| 民县| 和平区| 涿鹿县| 清新县| 北宁市| 阿坝县| 凤山市| 北安市|