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參數資料
| 型號： | MRF21180S |
| 廠商： | FREESCALE SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | 2 CHANNEL, S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| 封裝： | NI-1230S, CASE 375E-03, 5 PIN |
| 文件頁數： | 6/12頁 |
| 文件大小： | 356K |
| 代理商： | MRF21180S |
3
MRF21180 MRF21180S
MOTOROLA RF DEVICE DATA
ELECTRICAL CHARACTERISTICS — continued (TC = 25°C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
FUNCTIONAL TESTS (In Motorola Test Fixture, 50 ohm system) (2) (continued)
Two–Tone Common–Source Amplifier Power Gain
(VDD = 28 Vdc, Pout = 170 W, IDQ = 2 x 850 mA,
f1 = 2110 MHz, f2 = 2120 MHz and f1 = 2160 MHz, f2 = 2170 MHz)
Gps
—
12
—
dB
Two–Tone Drain Efficiency
(VDD = 28 Vdc, Pout = 170 W, IDQ = 2 x 850 mA,
f1 = 2110 MHz, f2 = 2120 MHz and f1 = 2160 MHz, f2 = 2170 MHz)
η
—
33
—
%
Two–Tone Intermodulation Distortion
(VDD = 28 Vdc, Pout = 170 W, IDQ = 2 x 850 mA,
f1 = 2110 MHz, f2 = 2120 MHz and f1 = 2160 MHz, f2 = 2170 MHz)
IMD
—
–30
—
dBc
Two–Tone Input Return Loss
(VDD = 28 Vdc, Pout = 170 W, IDQ = 2 x 850 mA,
f1 = 2110 MHz, f2 = 2120 MHz and f1 = 2160 MHz, f2 = 2170 MHz)
IRL
—
–12
—
dB
Pout, 1 dB Compression Point
(VDD = 28 Vdc, IDQ = 2 x 850 mA, f = 2170 MHz)
P1dB
—
180
—
W
(2) Measurements made with device in push–pull configuration.
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
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