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參數(shù)資料
| 型號： | MSD42T1 |
| 廠商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | NPN Silicon General Purpose High Voltage Transistors |
| 中文描述： | 150 mA, 300 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | CASE 419-04, SC-70, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 2/4頁 |
| 文件大小： | 61K |
| 代理商： | MSD42T1 |
MSD42WT1, MSD42T1
http://onsemi.com
2
C
Figure 1. DC Current Gain
V
R
, REVERSE VOLTAGE (VOLTS)
0.1
100
0.1
10
1.0
10
1000
C
eb
@ 1MHz
Figure 2. Capacitance
I
C
, COLLECTOR CURRENT (mA)
V
1.4
0.0
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
100
10
0.1
1.0
100
1.0
C
cb
@ 1MHz
V
BE(on)
@ 25
°
C, V
CE
= 10 V
V
BE(on)
@ 125
°
C, V
CE
= 10 V
V
BE(on)
@ 55
°
C, V
CE
= 10 V
V
CE(sat)
@ 25
°
C, I
C
/I
B
= 10
V
CE(sat)
@ 125
°
C, I
C
/I
B
= 10
V
CE(sat)
@ 55
°
C, I
C
/I
B
= 10
V
BE(sat)
@ 25
°
C, I
C
/I
B
= 10
V
BE(sat)
@ 125
°
C, I
C
/I
B
= 10
V
BE(sat)
@ 55
°
C, I
C
/I
B
= 10
Figure 3. “ON” Voltages
I
C
, COLLECTOR CURRENT (mA)
120
0.1
1.0
10
100
80
60
0
h
T
J
= +125
°
C
25
°
C
55
°
C
V
CE
= 10 Vdc
100
20
40
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MSD42WT1G | NPN Silicon General Purpose High Voltage Transistors |
| MSG36E41 | SiGe HBT type |
| MSG43004 | SiGe HBT type For low-noise RF amplifier |
| MSK103 | ULTRA HIGH VOLTAGE DUAL OPERATIONAL AMPLIFIER |
| MSK103B | ULTRA HIGH VOLTAGE DUAL OPERATIONAL AMPLIFIER |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MSD42T1G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT SS XSTR HV 300V TR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MSD42WT1 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 150mA 300V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MSD42WT1G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 150mA 300V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MSD42WT1G_10 | 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:NPN Silicon General Purpose High Voltage Transistors |
| MSD4410C | 功能描述:LED 顯示器和配件 .40" 2-DI GN GY FACE RoHS:否 制造商:Avago Technologies 顯示器類型:7 Segment 數(shù)位數(shù)量:2 字符大小:7.8 mm x 14.22 mm 照明顏色:Red 波長:628 nm 共用管腳:Common Anode 工作電壓:2.05 V 工作電流:20 mA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 35 C 封裝:Tube |
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