型號: | MSD42T1 |
廠商: | ON SEMICONDUCTOR |
元件分類: | 功率晶體管 |
英文描述: | NPN Silicon General Purpose High Voltage Transistors |
中文描述: | 150 mA, 300 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
封裝: | CASE 419-04, SC-70, 3 PIN |
文件頁數: | 4/4頁 |
文件大小: | 61K |
代理商: | MSD42T1 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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MSD42WT1G | NPN Silicon General Purpose High Voltage Transistors |
MSG36E41 | SiGe HBT type |
MSG43004 | SiGe HBT type For low-noise RF amplifier |
MSK103 | ULTRA HIGH VOLTAGE DUAL OPERATIONAL AMPLIFIER |
MSK103B | ULTRA HIGH VOLTAGE DUAL OPERATIONAL AMPLIFIER |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
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MSD42T1G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT SS XSTR HV 300V TR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
MSD42WT1 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 150mA 300V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
MSD42WT1G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 150mA 300V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
MSD42WT1G_10 | 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:NPN Silicon General Purpose High Voltage Transistors |
MSD4410C | 功能描述:LED 顯示器和配件 .40" 2-DI GN GY FACE RoHS:否 制造商:Avago Technologies 顯示器類型:7 Segment 數位數量:2 字符大小:7.8 mm x 14.22 mm 照明顏色:Red 波長:628 nm 共用管腳:Common Anode 工作電壓:2.05 V 工作電流:20 mA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 35 C 封裝:Tube |