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參數資料
| 型號： | MSD42T1 |
| 廠商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | NPN Silicon General Purpose High Voltage Transistors |
| 中文描述： | 150 mA, 300 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | CASE 419-04, SC-70, 3 PIN |
| 文件頁數： | 3/4頁 |
| 文件大小： | 61K |
| 代理商： | MSD42T1 |
MSD42WT1, MSD42T1
http://onsemi.com
3
PACKAGE DIMENSIONS
SC70 (SOT323)
CASE 41904
ISSUE L
C
N
A
L
D
G
S
B
H
J
K
3
1
2
NOTES:
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI
Y14.5M, 1982.
2. CONTROLLING DIMENSION: INCH.
DIM
A
B
C
D
G
H
J
K
L
N
S
MIN
0.071
0.045
0.032
0.012
0.047
0.000
0.004
0.017 REF
0.026 BSC
0.028 REF
0.079
MAX
0.087
0.053
0.040
0.016
0.055
0.004
0.010
MIN
1.80
1.15
0.80
0.30
1.20
0.00
0.10
0.425 REF
0.650 BSC
0.700 REF
2.00
MAX
2.20
1.35
1.00
0.40
1.40
0.10
0.25
MILLIMETERS
INCHES
0.095
2.40
0.05 (0.002)
STYLE 3:
PIN 1. BASE
2. EMITTER
3. COLLECTOR
SC70/SOT323
1.9
0.075
0.65
0.025
0.65
0.025
0.9
0.035
0.7
0.028
mm
inches
SCALE 10:1
*For additional information on our PbFree strategy and soldering
details, please download the ON Semiconductor Soldering and
Mounting Techniques Reference Manual, SOLDERRM/D.
SOLDERING FOOTPRINT*
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MSD42WT1G | NPN Silicon General Purpose High Voltage Transistors |
| MSG36E41 | SiGe HBT type |
| MSG43004 | SiGe HBT type For low-noise RF amplifier |
| MSK103 | ULTRA HIGH VOLTAGE DUAL OPERATIONAL AMPLIFIER |
| MSK103B | ULTRA HIGH VOLTAGE DUAL OPERATIONAL AMPLIFIER |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| MSD42T1G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT SS XSTR HV 300V TR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MSD42WT1 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 150mA 300V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MSD42WT1G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 150mA 300V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MSD42WT1G_10 | 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:NPN Silicon General Purpose High Voltage Transistors |
| MSD4410C | 功能描述:LED 顯示器和配件 .40" 2-DI GN GY FACE RoHS:否 制造商:Avago Technologies 顯示器類型:7 Segment 數位數量:2 字符大小:7.8 mm x 14.22 mm 照明顏色:Red 波長:628 nm 共用管腳:Common Anode 工作電壓:2.05 V 工作電流:20 mA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 35 C 封裝:Tube |
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