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參數(shù)資料
| 型號： | PHC20512 |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | Complementary enhancement mode MOS transistors |
| 中文描述： | 6400 mA, 30 V, 2 CHANNEL, N AND P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, MS-012AA |
| 封裝： | SO-8 |
| 文件頁數(shù)： | 11/20頁 |
| 文件大小： | 158K |
| 代理商： | PHC20512 |
1997 Oct 22
11
Philips Semiconductors
Product specification
Complementary enhancement mode
MOS transistors
PHC20512
Fig.16 Source current as a function of source-drain
diode forward voltage; N-channel typical
values.
V
GD
= 0.
(1) T
amb
= 150
°
C; t
p
= 300
μ
s;
δ
= 0.
(2) T
amb
= 25
°
C; t
p
= 300
μ
s;
δ
= 0.
(3) T
amb
=
65
°
C; t
p
= 300
μ
s;
δ
= 0.
handbook, halfpage
IS
(A)
0
0.4
0.8
1.2
0
12
8
4
MGG347
VSD (V)
(1)
(2)
(3)
Fig.17 Source current as a function of source-drain
diode forward voltage; P-channel typical
values.
V
GD
= 0.
(1) T
amb
= 150
°
C; t
p
= 300
μ
s;
δ
= 0.
(2) T
amb
= 25
°
C; t
p
= 300
μ
s;
δ
= 0.
(3) T
amb
=
65
°
C; t
p
= 300
μ
s;
δ
= 0.
handbook, halfpage
(A)
0
0.4
0.8
1.2
0
8
6
2
4
MGG356
VSD (V)
(1)
(2)
(3)
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