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參數資料
| 型號： | PHC20512 |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | Complementary enhancement mode MOS transistors |
| 中文描述： | 6400 mA, 30 V, 2 CHANNEL, N AND P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, MS-012AA |
| 封裝： | SO-8 |
| 文件頁數： | 13/20頁 |
| 文件大?。?/td> | 158K |
| 代理商： | PHC20512 |
1997 Oct 22
13
Philips Semiconductors
Product specification
Complementary enhancement mode
MOS transistors
PHC20512
Fig.20 Temperature coefficient of gate-source
threshold voltage as a function of junction
temperature; N-channel typical values.
V
GSth
at V
DS
= V
GS
; I
D
= 1 mA.
k
V
at T
j
GSth
at 25
°
C
V
=
handbook, halfpage
k
100
1.1
0.9
0.7
1.2
1
0.8
50
150
0
50
100
MGG349
Tj (
°
C)
Fig.21 Temperature coefficient of gate-source
threshold voltage as function of junction
temperature; P-channel typical values.
V
GSth
at V
DS
= V
GS
; I
D
=
1 mA.
k
V
at T
j
GSth
at 25
°
C
V
=
handbook, halfpage
k
100
1.1
0.9
0.7
1.2
1
0.8
50
150
0
50
100
MGG358
Tj (
°
C)
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PDF描述 |
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參數描述 |
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