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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | PHC20512 |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | 小信號(hào)晶體管 |
| 英文描述： | Complementary enhancement mode MOS transistors |
| 中文描述： | 6400 mA, 30 V, 2 CHANNEL, N AND P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, MS-012AA |
| 封裝： | SO-8 |
| 文件頁數(shù)： | 12/20頁 |
| 文件大小： | 158K |
| 代理商： | PHC20512 |
1997 Oct 22
12
Philips Semiconductors
Product specification
Complementary enhancement mode
MOS transistors
PHC20512
handbook, halfpage
10
0
2
4
6
8
3
10
2
10
MGG348
RDSon
(m
)
VGS (V)
(1)
(2)
(3)
(4)
(5)
Fig.18 Drain-source on-state resistance as a
function of gate-source voltage; N-channel
typical values.
V
DS
≥
I
D
×
R
DSon
; T
amb
= 25
°
C; t
p
= 300
μ
s;
δ
= 0.
(1) I
D
= 0.5 A.
(2) I
D
= 1.6 A.
(3) I
D
= 3.2 A.
(4) I
D
= 6.4 A.
(5) I
D
= 10 A.
Fig.19 Drain-source on-state resistance as a
function of gate-source voltage; P-channel
typical values.
V
DS
≥
I
D
×
R
DSon
; T
amb
= 25
°
C; t
p
= 300
μ
s;
δ
= 0.
(1) I
D
= 0.1 A.
(2) I
D
= 0.5 A.
(3) I
D
= 1 A.
(4) I
D
= 2 A.
(5) I
D
= 4 A.
(6) I
D
= 8 A.
handbook, halfpage
10
0
2
4
6
8
3
10
2
10
MGG357
RDSon
(m
)
VGS (V)
(1)
(2)
(3)
(4)
(5)
(6)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PHD18NQ10T | N-channel TrenchMOS transistor |
| PHD21N06LT | N-channel TrenchMOS transistor Logic level FET |
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參數(shù)描述 |
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