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參數資料
| 型號： | PHC20512 |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | Complementary enhancement mode MOS transistors |
| 中文描述： | 6400 mA, 30 V, 2 CHANNEL, N AND P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, MS-012AA |
| 封裝： | SO-8 |
| 文件頁數： | 18/20頁 |
| 文件大小： | 158K |
| 代理商： | PHC20512 |
1997 Oct 22
18
Philips Semiconductors
Product specification
Complementary enhancement mode
MOS transistors
PHC20512
NOTES
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PHD18NQ10T | N-channel TrenchMOS transistor |
| PHD21N06LT | N-channel TrenchMOS transistor Logic level FET |
| PHD22NQ20T | N-channel TrenchMOS?? standard level FET |
| PHD22NQ20T-01 | N-channel TrenchMOS?? standard level FET |
| PHD24N03 | TrenchMOS transistor Logic level FET |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| PHC21025 | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET Dual N/P-Ch 30V 3.5A/2.3A SOIC8 |
| PHC21025 /T3 | 功能描述:MOSFET TAPE-7 MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| PHC21025,118 | 功能描述:MOSFET TAPE-7 MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| PHC21025118 | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET N CH 30V 3.5A SOT96-1 |
| PHC21025T/R | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | PAIR | COMPLEMENTARY | 30V V(BR)DSS | SO |
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