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參數資料
| 型號： | PHN110 |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | N-channel enhancement mode MOS transistor |
| 中文描述： | 4 A, 30 V, 0.1 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, MS-012AA |
| 封裝： | PLASTIC, SO-8 |
| 文件頁數： | 11/12頁 |
| 文件大小： | 79K |
| 代理商： | PHN110 |
1997 Jun 17
11
Philips Semiconductors
Product specification
N-channel enhancement mode
MOS transistor
PHN110
NOTES
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PHN205 | Dual N-channel enhancement mode MOS transistor |
| PHP119NQ06T | N-channel TrenchMOS standard level FET |
| PHB119NQ06T | N-channel TrenchMOS standard level FET |
| PHP130N03LT | TrenchMOS transistor Logic level FET |
| PHP152NQ03LT | TrenchMOS logic level FET |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| PHN110T/R | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 4A I(D) | SO |
| PHN15-4.1 | 制造商:Power-One 功能描述: |
| PHN203 | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:Dual N-channel TrenchMOS logic level FET |
| PHN203 /T3 | 功能描述:MOSFET TAPE13 MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| PHN203,518 | 功能描述:MOSFET TAPE13 MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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