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參數資料
| 型號： | PHN110 |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | N-channel enhancement mode MOS transistor |
| 中文描述： | 4 A, 30 V, 0.1 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, MS-012AA |
| 封裝： | PLASTIC, SO-8 |
| 文件頁數： | 6/12頁 |
| 文件大小： | 79K |
| 代理商： | PHN110 |
1997 Jun 17
6
Philips Semiconductors
Product specification
N-channel enhancement mode
MOS transistor
PHN110
Fig.5
Gate-source voltage as a function of total
gate charge; typical values.
V
DD
= 15 V: I
D
= 2 A.
handbook, halfpage
(V)
0
2
4
8
0
8
MBE136
6
6
4
2
Qg
Fig.6 Output characteristics; typical values.
T
j
= 25
°
C.
handbook, halfpage
(A)
0
2
10
16
12
4
0
8
MBG748
4
6
8VDS (V)
VGS =
10 V
6 V
5.5 V
4.5 V
4 V
3.5 V
3 V
2.5 V
Fig.7 Transfer characteristics; typical values.
V
DS
= 10 V; T
j
= 25
°
C.
handbook, halfpage
ID
(A)
0
2
4
8
12
4
0
8
MBG747
6
VGS (V)
Fig.8
Source current as a function of source-drain
diode forward voltage; typical values.
V
GD
= 0.
(1) T
j
= 150
°
C.
(2) T
j
= 25
°
C.
(3) T
j
=
65
°
C.
handbook, halfpage
IS
(A)
0
0.4
0.8
1.2
12
4
0
8
MBG746
VSD (V)
(1)
(2)
(3)
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
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