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參數資料
型號: PHN110
廠商: NXP SEMICONDUCTORS
元件分類: JFETs
英文描述: N-channel enhancement mode MOS transistor
中文描述: 4 A, 30 V, 0.1 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, MS-012AA
封裝: PLASTIC, SO-8
文件頁數: 9/12頁
文件大小: 79K
代理商: PHN110
1997 Jun 17
9
Philips Semiconductors
Product specification
N-channel enhancement mode
MOS transistor
PHN110
PACKAGE OUTLINE
UNIT
A
max.
A
1
A
2
A
3
b
p
c
D
(1)
E
(2)
(1)
e
H
E
L
L
p
Q
Z
y
w
v
θ
REFERENCES
OUTLINE
VERSION
EUROPEAN
PROJECTION
ISSUE DATE
IEC
JEDEC
EIAJ
mm
inches
1.75
0.25
0.10
1.45
1.25
0.25
0.49
0.36
0.25
0.19
5.0
4.8
4.0
3.8
1.27
6.2
5.8
1.05
0.7
0.6
0.7
0.3
8
0
o
o
0.25
0.1
0.25
DIMENSIONS (inch dimensions are derived from the original mm dimensions)
Notes
1. Plastic or metal protrusions of 0.15 mm maximum per side are not included.
2. Plastic or metal protrusions of 0.25 mm maximum per side are not included.
1.0
0.4
SOT96-1
X
w
M
θ
A
A
1
A
2
b
p
D
H
E
L
p
L
Q
detail X
E
Z
e
c
v
M
A
(A )
3
A
4
5
pin 1 index
1
8
y
076E03S
MS-012AA
0.069
0.010
0.004
0.057
0.049
0.01
0.019
0.014
0.0100
0.0075
0.20
0.19
0.16
0.15
0.050
0.244
0.228
0.028
0.024
0.028
0.012
0.01
0.01
0.041
0.004
0.039
0.016
0
2.5
5 mm
scale
SO8: plastic small outline package; 8 leads; body width 3.9 mm
SOT96-1
95-02-04
97-05-22
相關PDF資料
PDF描述
PHN205 Dual N-channel enhancement mode MOS transistor
PHP119NQ06T N-channel TrenchMOS standard level FET
PHB119NQ06T N-channel TrenchMOS standard level FET
PHP130N03LT TrenchMOS transistor Logic level FET
PHP152NQ03LT TrenchMOS logic level FET
相關代理商/技術參數
參數描述
PHN110T/R 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 4A I(D) | SO
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PHN203,518 功能描述:MOSFET TAPE13 MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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