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參數資料
| 型號： | PHN110 |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | N-channel enhancement mode MOS transistor |
| 中文描述： | 4 A, 30 V, 0.1 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, MS-012AA |
| 封裝： | PLASTIC, SO-8 |
| 文件頁數： | 8/12頁 |
| 文件大小： | 79K |
| 代理商： | PHN110 |
1997 Jun 17
8
Philips Semiconductors
Product specification
N-channel enhancement mode
MOS transistor
PHN110
Fig.12 Temperature coefficient of gate-source
threshold voltage; typical values.
Typical V
GSth
at V
DS
=
GS;
I
D
= 1 mA.
k
V
at T
j
GSth
at 25
°
C
V
=
handbook, halfpage
k
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
MBG745
25
75
175
125
75
25
Tj (
o
C)
Fig.13 Temperature coefficient of drain-source
on-resistance; typical values.
Typical R
DSon
at:
(1) I
D
= 2 A; V
GS
= 10 V.
(2) I
D
= 1 A; V
GS
= 4.5 V.
k
R
at T
DSon
at 25
°
C
R
=
handbook, halfpage
k
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
25
75
175
125
75
25
Tj (
o
C)
MBG744
(1)
(2)
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PHN205 | Dual N-channel enhancement mode MOS transistor |
| PHP119NQ06T | N-channel TrenchMOS standard level FET |
| PHB119NQ06T | N-channel TrenchMOS standard level FET |
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| PHP152NQ03LT | TrenchMOS logic level FET |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
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| PHN15-4.1 | 制造商:Power-One 功能描述: |
| PHN203 | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:Dual N-channel TrenchMOS logic level FET |
| PHN203 /T3 | 功能描述:MOSFET TAPE13 MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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