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參數資料
型號: PHT6N03T
廠商: NXP SEMICONDUCTORS
元件分類: JFETs
英文描述: TrenchMOS transistor Standard level FET
中文描述: 5.9 A, 30 V, 0.03 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝: PLASTIC PACKAGE-4
文件頁數: 3/10頁
文件大小: 70K
代理商: PHT6N03T
Philips Semiconductors
Product specification
TrenchMOS
transistor
Standard level FET
PHT6N03T
REVERSE DIODE LIMITING VALUES AND CHARACTERISTICS
T
j
= 25C unless otherwise specified
SYMBOL
PARAMETER
I
DR
Continuous reverse drain
current
I
DRM
Pulsed reverse drain current
V
SD
Diode forward voltage
CONDITIONS
MIN.
-
TYP.
-
MAX.
6.2
UNIT
A
-
-
-
-
-
-
24.8
1.2
-
-
-
A
V
I
F
= 3.2 A; V
GS
= 0 V
I
F
= 5.9 A; V
GS
= 0 V
I
F
= 5.9 A; -dI
F
/dt = 100 A/
μ
s;
V
GS
= -10 V; V
R
= 25 V
0.75
0.85
115
0.3
t
rr
Q
rr
Reverse recovery time
Reverse recovery charge
ns
μ
C
AVALANCHE LIMITING VALUE
SYMBOL
W
DSS
PARAMETER
Drain-source non-repetitive
unclamped inductive turn-off
energy
CONDITIONS
I
D
= 5.9 A; V
DD
25 V;
V
GS
= 10 V; R
GS
= 50
; T
sp
= 25 C
MIN.
-
TYP.
-
MAX.
60
UNIT
mJ
November 1997
3
Rev 1.200
相關PDF資料
PDF描述
PHT6N06 TrenchMOS transistor Standard level FET
PHU2N50E PowerMOS transistors Avalanche energy rated
PHW11N50E PowerMOS transistors Avalanche energy rated
PHB11N50E PowerMOS transistors Avalanche energy rated
PHW14N50E PowerMOS transistors Avalanche energy rated
相關代理商/技術參數
參數描述
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