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參數(shù)資料
| 型號： | PHT6N03T |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | TrenchMOS transistor Standard level FET |
| 中文描述： | 5.9 A, 30 V, 0.03 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封裝： | PLASTIC PACKAGE-4 |
| 文件頁數(shù)： | 9/10頁 |
| 文件大小： | 70K |
| 代理商： | PHT6N03T |
Philips Semiconductors
Product specification
TrenchMOS
transistor
Standard level FET
PHT6N03T
MECHANICAL DATA
Dimensions in mm
Net Mass: 0.11 g
Fig.20. SOT223 surface mounting package.
Notes
1. Observe the general handling precautions for electrostatic-discharge sensitive devices (ESDs) to prevent
damage to MOS gate oxide.
2. Refer to surface mounting instructions for SOT223 envelope.
3. Epoxy meets UL94 V0 at 1/8".
6.7
6.3
3.1
2.9
4
1
2
3
2.3
1.05
0.85
0.80
0.60
4.6
3.7
3.3
7.3
6.7
B
A
0.10
0.02
13
16
max
1.8
max
10
max
0.32
0.24
(4x)
B
M
0.1
A
M
0.2
November 1997
9
Rev 1.200
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PHT6N06 | TrenchMOS transistor Standard level FET |
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| PHB11N50E | PowerMOS transistors Avalanche energy rated |
| PHW14N50E | PowerMOS transistors Avalanche energy rated |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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