欧美成人免费电影,国产欧美一区二区三区精品酒店,精品国产a毛片,色网在线免费观看

參數資料
型號: PHT6N03T
廠商: NXP SEMICONDUCTORS
元件分類: JFETs
英文描述: TrenchMOS transistor Standard level FET
中文描述: 5.9 A, 30 V, 0.03 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝: PLASTIC PACKAGE-4
文件頁數: 7/10頁
文件大小: 70K
代理商: PHT6N03T
Philips Semiconductors
Product specification
TrenchMOS
transistor
Standard level FET
PHT6N03T
MOUNTING INSTRUCTIONS
Dimensions in mm.
Fig.18. soldering pattern for surface mounting SOT223.
3.8
min
6.3
2.3
4.6
1.5
min
1.5
min
1.5
min
(3x)
November 1997
7
Rev 1.200
相關PDF資料
PDF描述
PHT6N06 TrenchMOS transistor Standard level FET
PHU2N50E PowerMOS transistors Avalanche energy rated
PHW11N50E PowerMOS transistors Avalanche energy rated
PHB11N50E PowerMOS transistors Avalanche energy rated
PHW14N50E PowerMOS transistors Avalanche energy rated
相關代理商/技術參數
參數描述
PHT6N03TT/R 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 12.8A I(D) | SOT-223
PHT6N06 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:TrenchMOS transistor Standard level FET
PHT6N06LT 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET N SOT-223 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET, N, SOT-223 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET N-Channel 55V 5.5A SOT223
PHT6N06LT /T3 功能描述:MOSFET TAPE13 PWR-MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
PHT6N06LT,135 功能描述:MOSFET TAPE13 PWR-MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
主站蜘蛛池模板: 奉节县| 光山县| 东源县| 普陀区| 获嘉县| 海南省| 车致| 晋城| 扬州市| 阳信县| 临江市| 泽库县| 铜陵市| 阿鲁科尔沁旗| 潼关县| 保德县| 湖北省| 嵊泗县| 安康市| 鄂州市| 花莲市| 重庆市| 敖汉旗| 灯塔市| 安图县| 始兴县| 沧州市| 乳山市| 永年县| 黎川县| 甘德县| 辽宁省| 墨江| 全椒县| 东平县| 垣曲县| 安图县| 永寿县| 皮山县| 嘉义县| SHOW|