欧美成人免费电影,国产欧美一区二区三区精品酒店,精品国产a毛片,色网在线免费观看

您好，歡迎來到買賣IC網登錄 | 免費注冊

管理采購發布采購信息

您現在的位置：買賣IC網 > C字母型號搜索 >

CSD82/12

配單專家企業名單

型號
供應商
數量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

沒找到與 " CSD82/12 " 相關的供應商

您可以：

1. 縮短或修改您的搜索詞，重新搜索

2. 發布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復發布緊急采購

1/1頁 40條/頁共40條
1

您是不是要找： CSD83325L CSD83325LT CSD85301Q2 CSD85301Q2T CSD85302L CSD85302LT CSD85312Q3E CSD86311W1723 CSD86330EVM-717

CSD82/12 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

CSD82/12 PDF下載

制造商
C3 semi
功能描述

CSD82/12 技術參數

CSD75301W1015 功能描述:MOSFET 2P-CH 20V 1.2A 6DSBGA 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期 FET 類型:2 個 P 溝道（雙） FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:1.2A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:100 毫歐 @ 1A，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:2.1nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:195pF @ 10V 功率 - 最大值:800mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:6-UFBGA，DSBGA 供應商器件封裝:6-DSBGA（1x1.5）標準包裝:1 CSD75211W1723 功能描述:MOSFET 2P-CH 20V 4.5A 12DSBGA 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期 FET 類型:2 個 P 溝道（雙） FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:4.5A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:40 毫歐 @ 2A，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:5.9nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:600pF @ 10V 功率 - 最大值:1.5W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:12-UFBGA，DSBGA 供應商器件封裝:12-DSBGA（1.53x1.98）標準包裝:1 CSD75208W1015T 功能描述:MOSFET 2P-CH 20V 1.6A 6WLP 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:2 P 溝道（雙）共源 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:1.6A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:68 毫歐 @ 1A，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:2.5nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:410pF @ 10V 功率 - 最大值:750mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:6-UFBGA，DSBGA 供應商器件封裝:6-DSBGA 標準包裝:1 CSD75208W1015 功能描述:MOSFET 2P-CH 20V 1.6A 6WLP 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:2 P 溝道（雙）共源 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:1.6A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:68 毫歐 @ 1A，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:2.5nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:410pF @ 10V 功率 - 最大值:750mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:6-UFBGA，DSBGA 供應商器件封裝:6-DSBGA 標準包裝:1 CSD75207W15 功能描述:MOSFET 2P-CH 3.9A 9DSBGA 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:2 個 P 溝道（雙） FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:- 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:3.9A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:162 毫歐 @ 1A，1.8V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:3.7nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:595pF @ 10V 功率 - 最大值:700mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:9-UFBGA，DSBGA 供應商器件封裝:9-DSBGA 標準包裝:1 CSD86330Q3D CSD86350Q5D CSD86350Q5DEVM-604 CSD86360Q5D CSD87312Q3E CSD87313DMS CSD87313DMST CSD87330Q3D CSD87331Q3D CSD87333Q3D CSD87333Q3DT CSD87334Q3D CSD87334Q3DT CSD87335Q3D CSD87335Q3DT CSD87350Q5D CSD87351Q5D CSD87351ZQ5D