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EPC2016

配單專家企業名單

型號
供應商
數量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

EPC2016C
深圳市瑞智芯科技有限公司
深圳市瑞智芯科技有限公司
聯系人：李先生
電話：0755-8308997518573537851
地址：深圳市福田區中航路42號中航北苑大廈C座6C3
資質：營業執照
41134
EPC
LGA
19
-
瑞智芯只有原裝

EPC2016C
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1009室
資質：營業執照
0
原廠封裝
10000
16+/17+
-
百分百原裝正品假一賠十電話010-62...

EPC2016C
深圳市瑞智芯科技有限公司
深圳市瑞智芯科技有限公司
聯系人：朱先生
電話：0755-82999903
地址：深圳市福田區中航路42號中航北苑大廈C座6C3
102634
EPC
LGA
19+
-
瑞智芯只做原裝

EPC2016
深圳市毅創輝電子科技有限公司
深圳市毅創輝電子科技有限公司
聯系人：雷春艷
電話：19129493934（手機優先微信同號）0755-83266697
地址：深圳市福田區華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室
資質：營業執照
2810
EPC
剪切帶（CT
1521+
-
全新原裝現貨

1/1頁 40條/頁共40條
1

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EPC2016 PDF下載

制造商
Efficient Power Conversion
功能描述
TRANS GAN 100V 11A BUMPED DIE

EPC2016 技術參數

EPC2015CENGR 功能描述:TRANS GAN 40V 36A BUMPED DIE 制造商:epc 系列:eGaN? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:GaNFET N 通道，氮化鎵 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:36A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:4 毫歐 @ 33A，5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 9mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:8.7nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1000pF @ 20V 功率 - 最大值:- 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:模具供應商器件封裝:模具剖面（11 焊條）標準包裝:1 EPC2015C 功能描述:TRANS GAN 40V 33A BUMPED DIE 制造商:epc 系列:eGaN? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:GaNFET N 通道，氮化鎵 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:36A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:4 毫歐 @ 33A，5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 9mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:8.7nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1000pF @ 20V 功率 - 最大值:- 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:模具供應商器件封裝:模具標準包裝:1 EPC2015 功能描述:TRANS GAN 40V 33A BUMPED DIE 制造商:epc 系列:eGaN? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:GaNFET N 通道，氮化鎵 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:33A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:4 毫歐 @ 33A，5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 9mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:11.6nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1200pF @ 20V 功率 - 最大值:- 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:模具供應商器件封裝:模具剖面（11 焊條）標準包裝:1 EPC2014C 功能描述:TRANS GAN 40V 10A BUMPED DIE 制造商:epc 系列:eGaN? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:GaNFET N 通道，氮化鎵 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:10A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:16 毫歐 @ 10A， 5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 2mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:2.5nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:300pF @ 20V 功率 - 最大值:- 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:模具供應商器件封裝:模具剖面（5 焊條）標準包裝:1 EPC2014 功能描述:TRANS GAN 40V 10A BUMPED DIE 制造商:epc 系列:eGaN? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:GaNFET N 通道，氮化鎵 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:10A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:16 毫歐 @ 5A，5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 2mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:2.8nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:325pF @ 20V 功率 - 最大值:- 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:模具供應商器件封裝:模具剖面（5 焊條）標準包裝:1 EPC2021ENGR EPC2022 EPC2022ENGRT EPC2023 EPC2023ENG EPC2023ENGR EPC2024 EPC2024ENG EPC2024ENGR EPC2025 EPC2025ENGR EPC2029 EPC2029ENGR EPC2029ENGRT EPC2030 EPC2030ENGR EPC2030ENGRT EPC2031