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參數資料
| 型號： | SS9011 |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | NPN Epitaxial Silicon Transistor（AM Converter,AM/FM IF Amplifier,General Purpose Transistor)(NPN硅外延晶體管（適用于AM轉換器、AM/FM IF 放大器及通用功能）) |
| 中文描述： | 30 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 封裝： | TO-92, 3 PIN |
| 文件頁數： | 1/3頁 |
| 文件大小： | 63K |
| 代理商： | SS9011 |
SS9011 NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
AM CONVERTER, AM/FM IF AMPLIFIER
GENERAL PURPOSE TRANSISTOR
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T
A
=25
°
C)
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T
A
=25
°
C)
h
FE
CLASSIFICATION
Characteristic
Symbol
Rating
Unit
Collector-Base Voltage
Collector-Emitter Voltage
Emitter-Base Voltage
Collector Current
Collector Dissipation
Junction Temperature
Storage Temperature
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
P
C
T
J
T
STG
50
30
5
30
400
150
-55 ~ 150
V
V
V
mA
mw
°
C
°
C
Characteristic
Symbol
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Collector-Base Breakdown Voltage
Collector-Emitter Breakdown Voltage
Emitter-Base Breakdown Voltage
Collector Cut-off Current
Emitter Cut-off Current
DC Current Gain
Collector-Emitter Saturation Voltage
Base-Emitter Voltage
Output Capacitance
Current Gain-Bandwidth Product
Noise Figure
BV
CBO
BV
CEO
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
h
FE
V
CE
(sat)
V
BE
C
OB
f
T
NF
I
C
= 100
μ
A, I
E
=0
I
C
=1mA, I
B
=0
I
E
= 100
μ
A, I
C
=0
V
CB
= 50V, I
E
=0
V
EB
= 5V, I
C
=0
V
CE
= 5V, I
C
= 1mA
I
C
= 10mA, I
B
= 1mA
V
CE
= 5V, I
C
= 1mA
V
= 10V, I
E
= 0
f = 1MHz
V
CE
= 5V, I
C
= 1mA
V
CE
= 5V, I
C
= 1.0 mA
f=1MHz, R
S
= 500
50
30
5
28
0.65
150
90
0.08
0.7
1.5
370
2.0
100
100
198
0.3
0.75
4.0
V
V
V
nA
nA
V
V
pF
MHz
dB
Classification
D
E
F
G
H
I
h
FE
28-45
39-60
54-80
72-108
97-146
132-198
TO-92
1. Emitter 2. Base 3. Collector
1999 Fairchild Semiconductor Corporation
Rev. B
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SS9012 | PNP Epitaxial Silicon Transistor（1W Output Amplifier of Portable Radios in Class B Push-pull Operation）(PNP硅外延晶體管(適用于1W輸出的等級B推拉式便攜收音放大器)) |
| SS9013 | NPN epitaxial silicon transisitor |
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| SS9016 | NPN Epitaxial Silicon Transistor(AM Converter, FM/RF Amplifier of Low Noise.)(NPN硅外延晶體管（適用于AM轉換器、低噪聲AM/FM 放大器）) |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
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| SS9011FBU | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN/50V/30mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| SS9011GBU | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN/50V/30mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| SS9011HBU | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN/50V/30mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| SS9011HBU_Q | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN/50V/30mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| SS9012 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:1W Output Amplifier of Potable Radios in Class B Push-pull Operation. |
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