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CSD86330Q3D.

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CSD86330Q3D. PDF下載

制造商
Texas Instruments
功能描述
IC SYNC BUCK NEXFET 8SON
制造商
Texas Instruments
功能描述
IC, SYNC, BUCK, NEXFET, 8SON
制造商
Texas Instruments
功能描述
IC, SYNC, BUCK, NEXFET, 8SON; SVHC

CSD86330Q3D. 技術(shù)參數(shù)

CSD86330Q3D 功能描述:MOSFET 2N-CH 25V 20A 8SON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 個(gè) N 通道（半橋） FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:25V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:20A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:9.6 毫歐 @ 14A，8V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.1V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:6.2nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:920pF @ 12.5V 功率 - 最大值:6W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerLDFN 供應(yīng)商器件封裝:8-LSON（5x6）標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CSD86330EVM-717 功能描述:CSD86330, TPS53219 NexFET? DC/DC, Step Down 1, Non-Isolated Outputs Evaluation Board 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 零件狀態(tài):有效主要用途:DC/DC，步降輸出和類型:1，非隔離功率 - 輸出:- 電壓 - 輸出:1.2V 電流 - 輸出:5A 電壓 - 輸入:9 V ~ 13.2 V 穩(wěn)壓器拓?fù)?降壓頻率 - 開關(guān):500kHz 板類型:完全填充所含物品:板使用的 IC/零件:CSD86330，TPS53219 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CSD86311W1723 功能描述:MOSFET 2N-CH 25V 4.5A 12DSBGA 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 個(gè) N 溝道（雙） FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:25V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:4.5A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:39 毫歐 @ 2A，8V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1.4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:4nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:585pF @ 12.5V 功率 - 最大值:1.5W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:12-UFBGA，DSBGA 供應(yīng)商器件封裝:12-DSBGA（1.53x1.98）標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CSD85312Q3E 功能描述:MOSFET 2N-CH 20V 39A 8VSON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:2?N 溝道（雙）共源 FET 功能:邏輯電平柵極，5V 驅(qū)動(dòng) 漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:39A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:12.4 毫歐 @ 10A，8V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1.4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:15.2nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:2390pF @ 10V 功率 - 最大值:2.5W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerVDFN 供應(yīng)商器件封裝:8-VSON（3.3x3.3）標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CSD85302LT 功能描述:MOSFET 2N-CH 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 N 溝道（雙）共漏 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:- 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:- 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:- 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:7.8nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:- 功率 - 最大值:1.7W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:4-XFLGA 供應(yīng)商器件封裝:4-Picostar（1.31x1.31）標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CSD87333Q3DT CSD87334Q3D CSD87334Q3DT CSD87335Q3D CSD87335Q3DT CSD87350Q5D CSD87351Q5D CSD87351ZQ5D CSD87352Q5D CSD87353Q5D CSD87355Q5D CSD87355Q5DT CSD87381P CSD87381PEVM-603 CSD87381PT CSD87384M CSD87384MEVM-603 CSD87384MT