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CSD86350Q5D

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操作

CSD86350Q5DT
深圳市華雄半導體（集團）有限公司
深圳市華雄半導體（集團）有限公司
聯系人：苗鳳軍
電話：17623594308
地址：深圳龍崗區棕科云端大廈1棟B座15層
資質：營業執照
4434
TI/華雄半導體
SON8
2222+
-
十年專營，供應原裝正品！熱賣現貨！

CSD86350Q5D
深圳市安博威科技有限公司
深圳市安博威科技有限公司
聯系人：吳
電話：18320850923
地址：深圳市福田區華強北路賽格廣場1713室
3000
TI/德州儀器
SON8
19+
-
訂貨中可預訂

CSD86350Q5D
甄芯網
甄芯網
聯系人：柯
電話：0755-836658130755-83465652
地址：深南中路佳和大廈B座907
216
TI
SON-8
1033+
-
█100%現貨█可開17%增票█可申請免...

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功能描述
MOSFET Synch Buck NexFET Pwr Block MOSFET
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
晶體管極性
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓
650 V
閘/源擊穿電壓
25 V
漏極連續電流
130 A
電阻汲極/源極 RDS（導通）
0.014 Ohms
配置
Single
最大工作溫度
安裝風格
Through Hole
封裝 / 箱體
Max247
封裝
Tube

CSD86350Q5D 技術參數

CSD86330Q3D 功能描述:MOSFET 2N-CH 25V 20A 8SON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:2 個 N 通道（半橋） FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:25V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:20A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:9.6 毫歐 @ 14A，8V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:6.2nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:920pF @ 12.5V 功率 - 最大值:6W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerLDFN 供應商器件封裝:8-LSON（5x6）標準包裝:1 CSD86330EVM-717 功能描述:CSD86330, TPS53219 NexFET? DC/DC, Step Down 1, Non-Isolated Outputs Evaluation Board 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 零件狀態:有效主要用途:DC/DC，步降輸出和類型:1，非隔離功率 - 輸出:- 電壓 - 輸出:1.2V 電流 - 輸出:5A 電壓 - 輸入:9 V ~ 13.2 V 穩壓器拓撲:降壓頻率 - 開關:500kHz 板類型:完全填充所含物品:板使用的 IC/零件:CSD86330，TPS53219 標準包裝:1 CSD86311W1723 功能描述:MOSFET 2N-CH 25V 4.5A 12DSBGA 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:2 個 N 溝道（雙） FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:25V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:4.5A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:39 毫歐 @ 2A，8V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:4nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:585pF @ 12.5V 功率 - 最大值:1.5W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:12-UFBGA，DSBGA 供應商器件封裝:12-DSBGA（1.53x1.98）標準包裝:1 CSD85312Q3E 功能描述:MOSFET 2N-CH 20V 39A 8VSON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:2?N 溝道（雙）共源 FET 功能:邏輯電平柵極，5V 驅動漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:39A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:12.4 毫歐 @ 10A，8V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:15.2nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:2390pF @ 10V 功率 - 最大值:2.5W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerVDFN 供應商器件封裝:8-VSON（3.3x3.3）標準包裝:1 CSD85302LT 功能描述:MOSFET 2N-CH 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:2 N 溝道（雙）共漏 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:- 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:- 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:- 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:7.8nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:- 功率 - 最大值:1.7W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:4-XFLGA 供應商器件封裝:4-Picostar（1.31x1.31）標準包裝:1 CSD87334Q3D CSD87334Q3DT CSD87335Q3D CSD87335Q3DT CSD87350Q5D CSD87351Q5D CSD87351ZQ5D CSD87352Q5D CSD87353Q5D CSD87355Q5D CSD87355Q5DT CSD87381P CSD87381PEVM-603 CSD87381PT CSD87384M CSD87384MEVM-603 CSD87384MT CSD87501L