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DFE201610P-2R2M=P2

配單專家企業名單
  • 型號
  • 供應商
  • 數量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價格
  • 說明
  • 操作
  • DFE201610P-2R2M=P2
    DFE201610P-2R2M=P2

    DFE201610P-2R2M=P2

  • 深圳市亞泰盈科電子有限公司
    深圳市亞泰盈科電子有限公司

    聯系人:鄭女士

    電話:15338868823

    地址:公司地址:★★深圳市福田區佳和大廈B座1010

    資質:營業執照

  • 215610

  • muRata(村田)

  • 806

  • 2025+

  • -
  • DFE201610P-2R2M=P2
    DFE201610P-2R2M=P2

    DFE201610P-2R2M=P2

  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    聯系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1009室

    資質:營業執照

  • 6000

  • Murata Electronics North

  • 標準封裝

  • 16+

  • -
  • 假一罰十,百分百正品

  • DFE201610P-2R2M=P2
    DFE201610P-2R2M=P2

    DFE201610P-2R2M=P2

  • 科創特電子(香港)有限公司
    科創特電子(香港)有限公司

    聯系人:

    電話:0755-83014603

    地址:深圳市福田區深南中路3006號佳和大廈B座907

  • 1512

  • MURATA

  • 價格優勢

  • 2101

  • -
  • 全新原裝渠道現貨

  • 1/1頁 40條/頁 共7條 
  • 1
DFE201610P-2R2M=P2 PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 功能描述
  • 2.2μH Shielded Wirewound Inductor 2A 168 mOhm Max 0806 (2016 Metric)
  • 制造商
  • murata electronics north america
  • 系列
  • DFE201610P
  • 包裝
  • 剪切帶(CT)
  • 零件狀態
  • 有效
  • 類型
  • 繞線
  • 材料 - 磁芯
  • 鐵粉
  • 電感
  • 2.2μH
  • 容差
  • ±20%
  • 額定電流
  • 2A
  • 電流 - 飽和值
  • -
  • 屏蔽
  • 屏蔽
  • DC 電阻(DCR)
  • 168 毫歐最大
  • 不同頻率時的 Q 值
  • -
  • 頻率 - 自諧振
  • -
  • 等級
  • -
  • 工作溫度
  • -40°C ~ 125°C
  • 頻率 - 測試
  • 1MHz
  • 安裝類型
  • 表面貼裝
  • 封裝/外殼
  • 0806(2016 公制)
  • 大小/尺寸
  • 0.079" 長 x 0.063" 寬(2.00mm x 1.60mm)
  • 高度 - 安裝(最大值)
  • 0.039"(1.00mm)
  • 標準包裝
  • 1
DFE201610P-2R2M=P2 技術參數
  • DFE201610P-1R5M=P2 功能描述:1.5μH Shielded Wirewound Inductor 2.5A 110 mOhm Max 0806 (2016 Metric) 制造商:murata electronics north america 系列:DFE201610P 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 類型:繞線 材料 - 磁芯:鐵粉 電感:1.5μH 容差:±20% 額定電流:2.5A 電流 - 飽和值:- 屏蔽:屏蔽 DC 電阻(DCR):110 毫歐最大 不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 125°C 頻率 - 測試:1MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:0806(2016 公制) 大小/尺寸:0.079" 長 x 0.063" 寬(2.00mm x 1.60mm) 高度 - 安裝(最大值):0.039"(1.00mm) 標準包裝:1 DFE201610P-1R0M=P2 功能描述:1μH Shielded Wirewound Inductor 3.1A 70 mOhm Max 0806 (2016 Metric) 制造商:murata electronics north america 系列:DFE201610P 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 類型:繞線 材料 - 磁芯:鐵粉 電感:1μH 容差:±20% 額定電流:3.1A 電流 - 飽和值:- 屏蔽:屏蔽 DC 電阻(DCR):70 毫歐最大 不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 125°C 頻率 - 測試:1MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:0806(2016 公制) 大小/尺寸:0.079" 長 x 0.063" 寬(2.00mm x 1.60mm) 高度 - 安裝(最大值):0.039"(1.00mm) 標準包裝:1 DFE201210U-2R2M=P2 功能描述:FIXED IND 2.2UH 1.2A 228 MOHM 制造商:murata electronics north america 系列:DFE201210U 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:在售 類型:繞線 材料 - 磁芯:金屬 電感:2.2μH 容差:±20% 額定電流:1.2A 電流 - 飽和值:2A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻(DCR):228 毫歐最大 不同頻率時的 Q 值:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 125°C 頻率 - 測試:1MHz 特性:- 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:0805(2012 公制) 供應商器件封裝:0805(2012 公制) 大小/尺寸:0.079" 長 x 0.047" 寬(2.00mm x 1.20mm) 高度 - 安裝(最大值):0.039"(1.00mm) 標準包裝:1 DFE201210S-1R0M=P2 功能描述:FIXED IND 1UH 2.3A 70 MOHM SMD 制造商:murata electronics north america 系列:DFE201210S 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:在售 類型:繞線 材料 - 磁芯:金屬 電感:1μH 容差:±20% 額定電流:2.3A 電流 - 飽和值:3.2A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻(DCR):70 毫歐最大 不同頻率時的 Q 值:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 125°C 頻率 - 測試:1MHz 特性:- 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:0805(2012 公制) 供應商器件封裝:0805(2012 公制) 大小/尺寸:0.079" 長 x 0.047" 寬(2.00mm x 1.20mm) 高度 - 安裝(最大值):0.039"(1.00mm) 標準包裝:1 DFE18SANR56ME0L 功能描述:FIXED IND 560NH 2.2A 84 MOHM SMD 制造商:murata electronics north america 系列:DFE18SAN_E0 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:在售 類型:- 材料 - 磁芯:金屬 電感:560nH 容差:±20% 額定電流:2.2A 電流 - 飽和值:3A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻(DCR):84 毫歐最大 不同頻率時的 Q 值:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 85°C 頻率 - 測試:1MHz 特性:- 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:0603(1608 公制) 供應商器件封裝:0603(1608 Metric) 大小/尺寸:0.063" 長 x 0.032" 寬(1.60mm x 0.80mm) 高度 - 安裝(最大值):0.032"(0.80mm) 標準包裝:1 DFE201612E-1R5M=P2 DFE201612P-1R0M=P2 DFE201612P-1R5M=P2 DFE201612P-2R2M=P2 DFE201612P-R24M=P2 DFE201612P-R33M=P2 DFE201612P-R47M=P2 DFE201612R-H-1R0M=P2 DFE201612R-H-1R5M=P2 DFE201612R-H-2R2M=P2 DFE201612R-H-R47M=P2 DFE252008C-1R0M=P2 DFE252008C-1R5M=P2 DFE252008C-2R2M=P2 DFE252008C-3R3M=P2 DFE252008C-4R7M=P2 DFE252008C-R47M=P2 DFE252010F-100M=P2
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