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DFE201610R-H-1R5M=P2

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  • 型號
  • 供應商
  • 數量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價格
  • 說明
  • 操作
  • DFE201610R-H-1R5M=P2
    DFE201610R-H-1R5M=P2

    DFE201610R-H-1R5M=P2

  • 深圳市亞泰盈科電子有限公司
    深圳市亞泰盈科電子有限公司

    聯系人：鄭女士

    電話：15338868823

    地址：公司地址：★★深圳市福田區佳和大廈B座1010

    資質：營業執照

  • 215610

  • Murata Manufacturing

  • 2025+

  • -

  • DFE201610R-H-1R5M=P2
    DFE201610R-H-1R5M=P2

    DFE201610R-H-1R5M=P2

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯系人：唐先生

    電話：0755-8322569219129381337（微信同號）

    地址：廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。

  • 865000

  • MURATA/村田

  • SMD

  • 最新批號

  • -

  • 一級代理.原裝特價現貨！

  • DFE201610R-H-1R5M=P2
    DFE201610R-H-1R5M=P2

    DFE201610R-H-1R5M=P2

  • 深圳市芯脈實業有限公司
    深圳市芯脈實業有限公司

    聯系人：周小姐/高先生/曹先生

    電話：137602720171852080514813487865852

    地址：深圳市龍崗區坂田街道南坑社區雅寶路1號星河WORLDA2203A室

  • 87653

  • Murata Electronics

  • -

  • 25+

  • -

  • 全球渠道、原廠正品、信譽保障、閃電發貨

  • DFE201610R-H-1R5M=P2
    DFE201610R-H-1R5M=P2

    DFE201610R-H-1R5M=P2

  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    聯系人：劉先生

    電話：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址：北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1009室

    資質：營業執照

  • 6000

  • Murata Electronics North

  • 標準封裝

  • 16+

  • -

  • 假一罰十，百分百正品

  • 1/1頁 40條/頁 共2條 
  • 1
DFE201610R-H-1R5M=P2 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準
  • 功能描述
  • 1.5μH Shielded Wirewound Inductor 1.8A 110 mOhm Max
  • 制造商
  • murata electronics north america
  • 系列
  • DFE201610R
  • 包裝
  • *
  • 零件狀態
  • 新產品
  • 類型
  • 繞線
  • 材料 - 磁芯
  • 鐵粉
  • 電感
  • 1.5μH
  • 容差
  • ±20%
  • 額定電流
  • 1.8A
  • 電流 - 飽和值
  • 2.5A
  • 屏蔽
  • 屏蔽
  • DC 電阻（DCR）
  • 110 毫歐最大
  • 不同頻率時的 Q 值
  • -
  • 頻率 - 自諧振
  • -
  • 等級
  • -
  • 工作溫度
  • -40°C ~ 125°C
  • 頻率 - 測試
  • 1MHz
  • 安裝類型
  • *
  • 封裝/外殼
  • *
  • 大小/尺寸
  • *
  • 高度 - 安裝（最大值）
  • *
  • 標準包裝
  • 1
DFE201610R-H-1R5M=P2 技術參數
  • DFE201610R-H-1R0M=P2 功能描述:1μH Shielded Wirewound Inductor 2.2A 70 mOhm Max 制造商:murata electronics north america 系列:DFE201610R 包裝:* 零件狀態:新產品 類型:繞線 材料 - 磁芯:鐵粉 電感:1μH 容差:±20% 額定電流:2.2A 電流 - 飽和值:3.1A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:70 毫歐最大 不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 125°C 頻率 - 測試:1MHz 安裝類型:* 封裝/外殼:* 大小/尺寸:* 高度 - 安裝（最大值）:* 標準包裝:1 DFE201610P-R68M=P2 功能描述:680nH Shielded Wirewound Inductor 2.7A 48 mOhm Max 制造商:murata electronics north america 系列:DFE201610P 包裝:* 零件狀態:新產品 類型:繞線 材料 - 磁芯:鐵粉 電感:680nH 容差:±20% 額定電流:2.7A 電流 - 飽和值:3.6A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:48 毫歐最大 不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 125°C 頻率 - 測試:1MHz 安裝類型:* 封裝/外殼:* 大小/尺寸:* 高度 - 安裝（最大值）:* 標準包裝:1 DFE201610P-R47M=P2 功能描述:470nH Shielded Wirewound Inductor 4A 40 mOhm Max 0806 (2016 Metric) 制造商:murata electronics north america 系列:DFE201610P 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態:有效 類型:繞線 材料 - 磁芯:鐵粉 電感:470nH 容差:±20% 額定電流:4A 電流 - 飽和值:- 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:40 毫歐最大 不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 125°C 頻率 - 測試:1MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:0806（2016 公制） 大小/尺寸:0.079" 長 x 0.063" 寬（2.00mm x 1.60mm） 高度 - 安裝（最大值）:0.039"（1.00mm） 標準包裝:1 DFE201610P-R33M=P2 功能描述:330nH Shielded Wirewound Inductor 4.7A 34 mOhm Max 0806 (2016 Metric) 制造商:murata electronics north america 系列:DFE201610P 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態:有效 類型:繞線 材料 - 磁芯:鐵粉 電感:330nH 容差:±20% 額定電流:4.7A 電流 - 飽和值:- 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:34 毫歐最大 不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 125°C 頻率 - 測試:1MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:0806（2016 公制） 大小/尺寸:0.079" 長 x 0.063" 寬（2.00mm x 1.60mm） 高度 - 安裝（最大值）:0.039"（1.00mm） 標準包裝:1 DFE201610P-R24M=P2 功能描述:240nH Shielded Wirewound Inductor 5.4A 26 mOhm Max 0806 (2016 Metric) 制造商:murata electronics north america 系列:DFE201610P 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態:有效 類型:繞線 材料 - 磁芯:鐵粉 電感:240nH 容差:±20% 額定電流:5.4A 電流 - 飽和值:- 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:26 毫歐最大 不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 125°C 頻率 - 測試:1MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:0806（2016 公制） 大小/尺寸:0.079" 長 x 0.063" 寬（2.00mm x 1.60mm） 高度 - 安裝（最大值）:0.039"（1.00mm） 標準包裝:1 DFE201612P-R47M=P2 DFE201612R-H-1R0M=P2 DFE201612R-H-1R5M=P2 DFE201612R-H-2R2M=P2 DFE201612R-H-R47M=P2 DFE252008C-1R0M=P2 DFE252008C-1R5M=P2 DFE252008C-2R2M=P2 DFE252008C-3R3M=P2 DFE252008C-4R7M=P2 DFE252008C-R47M=P2 DFE252010F-100M=P2 DFE252010F-1R0M=P2 DFE252010F-1R5M=P2 DFE252010F-2R2M=P2 DFE252010F-3R3M=P2 DFE252010F-4R7M=P2 DFE252010F-6R8M=P2
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