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DFE201612E-1R0M=P2

配單專家企業(yè)名單
  • 型號
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價(jià)格
  • 說明
  • 操作
  • DFE201612E-1R0M=P2
    DFE201612E-1R0M=P2

    DFE201612E-1R0M=P2

  • 深圳市百潤電子有限公司
    深圳市百潤電子有限公司

    聯(lián)系人：梁

    電話：17876146278

    地址：沙頭街道下沙社區(qū)濱河路9289號下沙村京基濱河時(shí)代廣場D1棟26A

  • 1000

  • MURATA

  • SMD

  • 21+

  • -

  • 全新原裝正品*海量現(xiàn)貨庫存*全網(wǎng)最低

  • 1/1頁 40條/頁 共4條 
  • 1
DFE201612E-1R0M=P2 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
  • 功能描述
  • FIXED IND 1UH 2.9A 48 MOHM SMD
  • 制造商
  • murata electronics north america
  • 系列
  • DFE201612E
  • 包裝
  • 剪切帶（CT）
  • 零件狀態(tài)
  • 在售
  • 類型
  • 繞線
  • 材料 - 磁芯
  • 金屬
  • 電感
  • 1μH
  • 容差
  • ±20%
  • 額定電流
  • 2.9A
  • 電流 - 飽和值
  • 4A
  • 屏蔽
  • 屏蔽
  • DC 電阻（DCR）
  • 48 毫歐最大
  • 不同頻率時(shí)的 Q 值
  • -
  • 等級
  • -
  • 工作溫度
  • -40°C ~ 125°C
  • 頻率 - 測試
  • 1MHz
  • 特性
  • -
  • 安裝類型
  • 表面貼裝
  • 封裝/外殼
  • 0806（2016 公制）
  • 供應(yīng)商器件封裝
  • 0806（2016 公制）
  • 大小/尺寸
  • 0.079" 長 x 0.063" 寬（2.00mm x 1.60mm）
  • 高度 - 安裝（最大值）
  • 0.047"（1.20mm）
  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝
  • 1
DFE201612E-1R0M=P2 技術(shù)參數(shù)
  • DFE201610R-H-R47M=P2 功能描述:470nH Shielded Wirewound Inductor 3.8A 26 mOhm Max 制造商:murata electronics north america 系列:DFE201610R 包裝:* 零件狀態(tài):新產(chǎn)品 類型:繞線 材料 - 磁芯:鐵粉 電感:470nH 容差:±20% 額定電流:3.8A 電流 - 飽和值:5.4A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:26 毫歐最大 不同頻率時(shí)的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 125°C 頻率 - 測試:1MHz 安裝類型:* 封裝/外殼:* 大小/尺寸:* 高度 - 安裝（最大值）:* 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 DFE201610R-H-2R2M=P2 功能描述:2.2μH Shielded Wirewound Inductor 1.4A 168 mOhm Max 制造商:murata electronics north america 系列:DFE201610R 包裝:* 零件狀態(tài):新產(chǎn)品 類型:繞線 材料 - 磁芯:鐵粉 電感:2.2μH 容差:±20% 額定電流:1.4A 電流 - 飽和值:2A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:168 毫歐最大 不同頻率時(shí)的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 125°C 頻率 - 測試:1MHz 安裝類型:* 封裝/外殼:* 大小/尺寸:* 高度 - 安裝（最大值）:* 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 DFE201610R-H-1R5M=P2 功能描述:1.5μH Shielded Wirewound Inductor 1.8A 110 mOhm Max 制造商:murata electronics north america 系列:DFE201610R 包裝:* 零件狀態(tài):新產(chǎn)品 類型:繞線 材料 - 磁芯:鐵粉 電感:1.5μH 容差:±20% 額定電流:1.8A 電流 - 飽和值:2.5A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:110 毫歐最大 不同頻率時(shí)的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 125°C 頻率 - 測試:1MHz 安裝類型:* 封裝/外殼:* 大小/尺寸:* 高度 - 安裝（最大值）:* 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 DFE201610R-H-1R0M=P2 功能描述:1μH Shielded Wirewound Inductor 2.2A 70 mOhm Max 制造商:murata electronics north america 系列:DFE201610R 包裝:* 零件狀態(tài):新產(chǎn)品 類型:繞線 材料 - 磁芯:鐵粉 電感:1μH 容差:±20% 額定電流:2.2A 電流 - 飽和值:3.1A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:70 毫歐最大 不同頻率時(shí)的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 125°C 頻率 - 測試:1MHz 安裝類型:* 封裝/外殼:* 大小/尺寸:* 高度 - 安裝（最大值）:* 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 DFE201610P-R68M=P2 功能描述:680nH Shielded Wirewound Inductor 2.7A 48 mOhm Max 制造商:murata electronics north america 系列:DFE201610P 包裝:* 零件狀態(tài):新產(chǎn)品 類型:繞線 材料 - 磁芯:鐵粉 電感:680nH 容差:±20% 額定電流:2.7A 電流 - 飽和值:3.6A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:48 毫歐最大 不同頻率時(shí)的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 125°C 頻率 - 測試:1MHz 安裝類型:* 封裝/外殼:* 大小/尺寸:* 高度 - 安裝（最大值）:* 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 DFE201612R-H-2R2M=P2 DFE201612R-H-R47M=P2 DFE252008C-1R0M=P2 DFE252008C-1R5M=P2 DFE252008C-2R2M=P2 DFE252008C-3R3M=P2 DFE252008C-4R7M=P2 DFE252008C-R47M=P2 DFE252010F-100M=P2 DFE252010F-1R0M=P2 DFE252010F-1R5M=P2 DFE252010F-2R2M=P2 DFE252010F-3R3M=P2 DFE252010F-4R7M=P2 DFE252010F-6R8M=P2 DFE252010F-8R2M=P2 DFE252010F-R33M=P2 DFE252010F-R47M=P2
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