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DFE201610R-H-2R2M=P2

配單專家企業名單

型號
供應商
數量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

DFE201610R-H-2R2M=P2
深圳市湘達電子有限公司
深圳市湘達電子有限公司
聯系人：朱平
電話：0755-83229772-83202753
地址：辦公地址幫我改成深圳市福田區紅荔路上步工業區201棟東座4樓F02室
25866
TOKO
原廠
21+
-
百分百進口原裝現貨，價格有優勢。

DFE201610R-H-2R2M=P2
深圳市亞泰盈科電子有限公司
深圳市亞泰盈科電子有限公司
聯系人：鄭小姐
電話：15338868823
地址：公司地址：★★深圳市福田區佳和大廈B座1410-1411
資質：營業執照
3000
TOKO
2016
13+
-
全新新貨村田TDK太友數量均有多電話咨詢

DFE201610R-H-2R2M=P2
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1009室
資質：營業執照
6000
Murata Electronics North
標準封裝
16+
-
假一罰十，百分百正品

1/1頁 40條/頁共7條
1

您是不是要找： DFE201610R-H-R47M=P2 DFE201612E-1R0M=P2 DFE201612E-1R5M=P2 DFE201612P-1R0M=P2 DFE201612P-1R5M=P2 DFE201612P-2R2M=P2 DFE201612P-R24M=P2 DFE201612P-R33M=P2 DFE201612P-R47M=P2

DFE201610R-H-2R2M=P2 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

DFE201610R-H-2R2M=P2 PDF下載

功能描述
2.2μH Shielded Wirewound Inductor 1.4A 168 mOhm Max
制造商
murata electronics north america
系列
DFE201610R
包裝
*
零件狀態
新產品
類型
繞線
材料 - 磁芯
鐵粉
電感
2.2μH
容差
±20%
額定電流
1.4A
電流 - 飽和值
2A
屏蔽
屏蔽
DC 電阻（DCR）
168 毫歐最大
不同頻率時的 Q 值
-
頻率 - 自諧振
-
等級
-
工作溫度
-40°C ~ 125°C
頻率 - 測試
1MHz
安裝類型
*
封裝/外殼
*
大小/尺寸
*
高度 - 安裝（最大值）
*
標準包裝
1

DFE201610R-H-2R2M=P2 技術參數

DFE201610R-H-1R5M=P2 功能描述:1.5μH Shielded Wirewound Inductor 1.8A 110 mOhm Max 制造商:murata electronics north america 系列:DFE201610R 包裝:* 零件狀態:新產品類型:繞線材料 - 磁芯:鐵粉電感:1.5μH 容差:±20% 額定電流:1.8A 電流 - 飽和值:2.5A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:110 毫歐最大不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 125°C 頻率 - 測試:1MHz 安裝類型:* 封裝/外殼:* 大小/尺寸:* 高度 - 安裝（最大值）:* 標準包裝:1 DFE201610R-H-1R0M=P2 功能描述:1μH Shielded Wirewound Inductor 2.2A 70 mOhm Max 制造商:murata electronics north america 系列:DFE201610R 包裝:* 零件狀態:新產品類型:繞線材料 - 磁芯:鐵粉電感:1μH 容差:±20% 額定電流:2.2A 電流 - 飽和值:3.1A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:70 毫歐最大不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 125°C 頻率 - 測試:1MHz 安裝類型:* 封裝/外殼:* 大小/尺寸:* 高度 - 安裝（最大值）:* 標準包裝:1 DFE201610P-R68M=P2 功能描述:680nH Shielded Wirewound Inductor 2.7A 48 mOhm Max 制造商:murata electronics north america 系列:DFE201610P 包裝:* 零件狀態:新產品類型:繞線材料 - 磁芯:鐵粉電感:680nH 容差:±20% 額定電流:2.7A 電流 - 飽和值:3.6A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:48 毫歐最大不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 125°C 頻率 - 測試:1MHz 安裝類型:* 封裝/外殼:* 大小/尺寸:* 高度 - 安裝（最大值）:* 標準包裝:1 DFE201610P-R47M=P2 功能描述:470nH Shielded Wirewound Inductor 4A 40 mOhm Max 0806 (2016 Metric) 制造商:murata electronics north america 系列:DFE201610P 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效類型:繞線材料 - 磁芯:鐵粉電感:470nH 容差:±20% 額定電流:4A 電流 - 飽和值:- 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:40 毫歐最大不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 125°C 頻率 - 測試:1MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:0806（2016 公制）大小/尺寸:0.079" 長 x 0.063" 寬（2.00mm x 1.60mm）高度 - 安裝（最大值）:0.039"（1.00mm）標準包裝:1 DFE201610P-R33M=P2 功能描述:330nH Shielded Wirewound Inductor 4.7A 34 mOhm Max 0806 (2016 Metric) 制造商:murata electronics north america 系列:DFE201610P 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效類型:繞線材料 - 磁芯:鐵粉電感:330nH 容差:±20% 額定電流:4.7A 電流 - 飽和值:- 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:34 毫歐最大不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 125°C 頻率 - 測試:1MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:0806（2016 公制）大小/尺寸:0.079" 長 x 0.063" 寬（2.00mm x 1.60mm）高度 - 安裝（最大值）:0.039"（1.00mm）標準包裝:1 DFE201612R-H-1R0M=P2 DFE201612R-H-1R5M=P2 DFE201612R-H-2R2M=P2 DFE201612R-H-R47M=P2 DFE252008C-1R0M=P2 DFE252008C-1R5M=P2 DFE252008C-2R2M=P2 DFE252008C-3R3M=P2 DFE252008C-4R7M=P2 DFE252008C-R47M=P2 DFE252010F-100M=P2 DFE252010F-1R0M=P2 DFE252010F-1R5M=P2 DFE252010F-2R2M=P2 DFE252010F-3R3M=P2 DFE252010F-4R7M=P2 DFE252010F-6R8M=P2 DFE252010F-8R2M=P2