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參數(shù)資料
型號: FGL40N120AND
廠商: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類: IGBT 晶體管
英文描述: 1200V NPT IGBT
中文描述: 64 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, TO-264AA
封裝: TO-264, 3 PIN
文件頁數(shù): 3/9頁
文件大小: 492K
代理商: FGL40N120AND
3
www.fairchildsemi.com
FGL40N120AND Rev. A
F
Electrical Characteristics of DIODE
T
C
= 25°C unless otherwise noted
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Units
V
FM
Diode Forward Voltage
I
F
= 40A
T
C
= 25
°
C
T
C
= 125
°
C
T
C
= 25
°
C
T
C
= 125
°
C
T
C
= 25
°
C
T
C
= 125
°
C
T
C
= 25
°
C
T
C
= 125
°
C
--
3.2
4.0
V
--
2.7
--
t
rr
Diode Reverse Recovery Time
I
F
= 40A,
di/dt = 200A/
μ
s
--
75
112
nS
--
130
--
I
rr
Diode Peak Reverse Recovery
Current
--
8
12
A
--
13
--
Q
rr
Diode Reverse Recovery Charge
--
300
450
nC
--
845
--
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FGL40N150 Electrical Characteristics of the IGBT
FGL40N150D Electrical Characteristics of the IGBT
FGL60N100BNTD NPT-Trench IGBT
FGL60N100D Electrical Characteristics of IGBT
FGL60N170D Electrical Characteristics of IGBT
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參數(shù)描述
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FGL40N120ANDTU 功能描述:IGBT 晶體管 1200V NPT IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
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FGL40N150 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:Electrical Characteristics of the IGBT
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