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參數資料
| 型號： | FGL40N120AND |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | IGBT 晶體管 |
| 英文描述： | 1200V NPT IGBT |
| 中文描述： | 64 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, TO-264AA |
| 封裝： | TO-264, 3 PIN |
| 文件頁數： | 3/9頁 |
| 文件大小： | 492K |
| 代理商： | FGL40N120AND |
3
www.fairchildsemi.com
FGL40N120AND Rev. A
F
Electrical Characteristics of DIODE
T
C
= 25°C unless otherwise noted
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Units
V
FM
Diode Forward Voltage
I
F
= 40A
T
C
= 25
°
C
T
C
= 125
°
C
T
C
= 25
°
C
T
C
= 125
°
C
T
C
= 25
°
C
T
C
= 125
°
C
T
C
= 25
°
C
T
C
= 125
°
C
--
3.2
4.0
V
--
2.7
--
t
rr
Diode Reverse Recovery Time
I
F
= 40A,
di/dt = 200A/
μ
s
--
75
112
nS
--
130
--
I
rr
Diode Peak Reverse Recovery
Current
--
8
12
A
--
13
--
Q
rr
Diode Reverse Recovery Charge
--
300
450
nC
--
845
--
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FGL40N150 | Electrical Characteristics of the IGBT |
| FGL40N150D | Electrical Characteristics of the IGBT |
| FGL60N100BNTD | NPT-Trench IGBT |
| FGL60N100D | Electrical Characteristics of IGBT |
| FGL60N170D | Electrical Characteristics of IGBT |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| FGL40N120AND_06 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:1200V NPT IGBT |
| FGL40N120ANDTU | 功能描述:IGBT 晶體管 1200V NPT IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發射極最大電壓:20 V 在25 C的連續集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
| FGL40N120ANDTU | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:SINGLE IGBT 1.2KV 64A |
| FGL40N120ANTU | 功能描述:IGBT 晶體管 1200V NPT IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發射極最大電壓:20 V 在25 C的連續集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
| FGL40N150 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:Electrical Characteristics of the IGBT |
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