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參數資料
| 型號： | FGL40N120AND |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | IGBT 晶體管 |
| 英文描述： | 1200V NPT IGBT |
| 中文描述： | 64 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, TO-264AA |
| 封裝： | TO-264, 3 PIN |
| 文件頁數： | 7/9頁 |
| 文件大小： | 492K |
| 代理商： | FGL40N120AND |
7
www.fairchildsemi.com
FGL40N120AND Rev. A
F
Typical Performance Characteristics
(Continued)
Figure 19. Stored Charge
Figure 20. Reverse Recovery Time
Figure 21. Transient Thermal Impedance of IGBT
0
10
20
30
40
50
60
70
0
100
200
300
400
di/dt = 100A/
μ
s
di/dt = 200A/
μ
s
S
r
Forward Current , I
F
[A]
0
10
20
30
40
50
60
70
50
60
70
80
90
100
di/dt = 100A/
μ
s
di/dt = 200A/
μ
s
R
r
Forward Current , I
F
[A]
1E-5
1E-4
1E-3
0.01
0.1
1
10
1E-3
0.01
0.1
1
0.1
0.5
0.2
0.05
0.02
0.01
single pulse
T
Rectangular Pulse Duration [sec]
Pdm
t1
t1
t2
t2
Duty factor D = t1 / t2
×
Zthjc + T
C
×
C
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PDF描述 |
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相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
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| FGL40N120ANDTU | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:SINGLE IGBT 1.2KV 64A |
| FGL40N120ANTU | 功能描述:IGBT 晶體管 1200V NPT IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發射極最大電壓:20 V 在25 C的連續集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
| FGL40N150 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:Electrical Characteristics of the IGBT |
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