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參數資料
型號: FGL40N120AND
廠商: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類: IGBT 晶體管
英文描述: 1200V NPT IGBT
中文描述: 64 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, TO-264AA
封裝: TO-264, 3 PIN
文件頁數: 4/9頁
文件大小: 492K
代理商: FGL40N120AND
4
www.fairchildsemi.com
FGL40N120AND Rev. A
F
Typical Performance Characteristics
Figure 1. Typical Output Characteristics
Figure 2. Typical Saturation Voltage
Characteristics
Figure 3. Saturation Voltage vs. Case
Temperature at Variant Current Level
Figure 4. Load Current vs. Frequency
Figure 5. Saturation Voltage vs. V
GE
Figure 6. Saturation Voltage vs. V
GE
0
2
4
6
8
10
0
50
100
150
200
250
300
20V
17V
15V
12V
V
GE
= 10V
T
C
= 25
°
C
C
C
Collector-Emitter Voltage, V
CE
[V]
0
2
4
6
0
30
60
90
120
150
Common Emitter
V
GE
= 15V
T
C
= 25
°
C
T
C
= 125
°
C
C
C
Collector-Emitter Voltage, V
CE
[V]
25
50
75
100
125
1
2
3
4
5
80A
Common Emitter
V
GE
= 15V
40A
I
C
= 20A
C
C
Case Temperature, T
C
[
°
C]
0.1
1
10
100
1000
0
10
20
30
40
50
60
70
80
V
CC
= 600V
Load Current : peak of square wave
Duty cycle : 50%
T
C
= 100
°
C
Power Dissipation = 100W
L
Frequency [kHz]
0
4
8
12
16
20
0
4
8
12
16
20
80A
40A
Common Emitter
T
C
= 125
°
C
I
C
= 20A
C
C
Gate-Emitter Voltage, V
GE
[V]
0
4
8
12
16
20
0
4
8
12
16
20
80A
40A
Common Emitter
T
C
= 25
°
C
I
C
= 20A
C
C
Gate-Emitter Voltage, V
GE
[V]
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