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參數資料
型號: FGL40N120AND
廠商: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類: IGBT 晶體管
英文描述: 1200V NPT IGBT
中文描述: 64 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, TO-264AA
封裝: TO-264, 3 PIN
文件頁數: 6/9頁
文件大小: 492K
代理商: FGL40N120AND
6
www.fairchildsemi.com
FGL40N120AND Rev. A
F
Typical Performance Characteristics
(Continued)
Figure 13. Switching Loss vs. Collector Current
Figure 14. Gate Charge Characteristics
Figure 15. SOA Characteristics
Figure 16. Turn-Off SOA
Figure 17. Forward Characteristics
Figure 18. Reverse Recovery Current
20
30
40
50
60
70
80
0.1
1
10
Common Emitter
V
GE
=
±
15V, R
G
= 5
T
C
= 25
°
C
T
C
= 125
°
C
Eon
Eoff
S
Collector Current, I
C
[A]
0
50
100
150
200
250
0
2
4
6
8
10
12
14
16
600V
400V
Common Emitter
R
L
= 15
T
C
= 25
°
C
Vcc = 200V
G
G
Gate Charge, Q
g
[nC]
1
10
100
1000
1
10
100
Safe Operating Area
V
GE
= 15V, T
C
= 125
°
C
C
C
Collector-Emitter Voltage, V
CE
[V]
0.1
1
10
100
1000
0.01
0.1
1
10
100
50
μ
s
100
μ
s
1ms
DC Operation
Ic MAX (Pulsed)
Ic MAX (Continuous)
Single Nonrepetitive
Pulse Tc = 25
°
C
Curves must be derated
linearly with increase
in temperature
C
Collector - Emitter Voltage, V
CE
[V]
0
10
20
30
40
50
60
70
0
2
4
6
8
10
di/dt = 100A/
μ
s
di/dt = 200A/
μ
s
R
r
Forward Current , I
F
[A]
0
1
2
3
4
5
6
0.1
1
10
100
T
C
= 125
°
C
T
C
= 25
°
C
T
J
= 25
°
C
T
J
= 125
°
C
F
F
Forward Current , I
F
[A]
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PDF描述
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FGL40N150 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:Electrical Characteristics of the IGBT
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