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參數資料
| 型號： | PBSS5350SA |
| 英文描述： | 50 V low VCEsat PNP transistor |
| 中文描述： | 50伏低飽和壓降PNP型晶體管 |
| 文件頁數： | 10/12頁 |
| 文件大小： | 78K |
| 代理商： | PBSS5350SA |
2002 Oct 22
10
Philips Semiconductors
Objective specification
50 V low V
CEsat
PNP transistor
PBSS5350SA
NOTES
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PBSS5350S | 50 V low VCEsat PNP transistor |
| PBSS8110S | 100 V, 1 A NPN low VCEsat (BISS) transistor |
| PBW1CL | Assemblies |
| PBW1CV | Assemblies |
| PBW3CL | Assemblies |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| PBSS5350SS | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:50 V, 2.7 A PNP/PNP low VCEsat (BISS) transistor |
| PBSS5350SS T/R | 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS BISS TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| PBSS5350SS,115 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS BISS TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| PBSS5350T | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR PNP SOT-23 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR, PNP, SOT-23 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR, PNP, SOT-23; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:50V; Power Dissipation Pd:300mW; DC Collector Current:3A; DC Current Gain hFE:200; Operating Temperature Min:-65C; Operating Temperature Max:150C;;RoHS Compliant: Yes 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:PNP transistor 3A SOT23,PBSS5350T |
| PBSS5350T T/R | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 50V 2A LO VCESAT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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