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參數資料
| 型號： | PBSS5350SA |
| 英文描述： | 50 V low VCEsat PNP transistor |
| 中文描述： | 50伏低飽和壓降PNP型晶體管 |
| 文件頁數： | 5/12頁 |
| 文件大小： | 78K |
| 代理商： | PBSS5350SA |
2002 Oct 22
5
Philips Semiconductors
Objective specification
50 V low V
CEsat
PNP transistor
PBSS5350SA
handbook, halfpage
hFE
0
10
1
200
400
600
800
MLD885
1
(1)
10
IC (mA)
10
2
10
3
10
4
(3)
(2)
Fig.2
DC current gain as a function of collector
current; typical values.
V
CE
=
2 V.
(1) T
amb
= 150
°
C.
(2) T
amb
= 25
°
C.
(3) T
amb
=
55
°
C.
handbook, halfpage
MLD886
0
10
1
400
800
1
10
IC (mA)
VBE
(mV)
10
2
10
3
10
4
(1)
(3)
(2)
Fig.3
Base-emitter voltage as a function of
collector current; typical values.
V
CE
=
2 V.
(1) T
amb
=
55
°
C.
(2) T
amb
= 25
°
C.
(3) T
amb
= 150
°
C.
handbook, halfpage
MLD887
100
500
900
10
1
1
10
IC (mA)
VBEsat
(mV)
10
2
10
3
10
4
(1)
(3)
(2)
Fig.4
Base-emitter saturation voltage as a
function of collector current; typical values.
I
C
/I
B
= 10.
(1) T
amb
=
55
°
C.
(2) T
amb
= 25
°
C.
(3) T
amb
= 150
°
C.
handbook, halfpage
MLD888
100
500
900
10
1
1
10
IC (mA)
VBEsat
(mV)
10
2
10
3
10
4
(1)
(3)
(2)
Fig.5
Base-emitter saturation voltage as a
function of collector current; typical values.
I
C
/I
B
= 20.
(1) T
amb
=
55
°
C.
(2) T
amb
= 25
°
C.
(3) T
amb
= 150
°
C.
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