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參數(shù)資料
| 型號： | PBSS5350SA |
| 英文描述： | 50 V low VCEsat PNP transistor |
| 中文描述： | 50伏低飽和壓降PNP型晶體管 |
| 文件頁數(shù)： | 6/12頁 |
| 文件大小： | 78K |
| 代理商： | PBSS5350SA |
2002 Oct 22
6
Philips Semiconductors
Objective specification
50 V low V
CEsat
PNP transistor
PBSS5350SA
handbook, halfpage
MLD889
10
3
10
2
10
1
1
10
IC (mA)
VCEsat
(mV)
10
2
10
3
10
4
1
(3)
(2)
(1)
Fig.6
Collector-emitter saturation voltage as a
function of collector current; typical values.
I
C
/I
B
= 10.
(1) T
amb
= 150
°
C.
(2) T
amb
= 25
°
C.
(3) T
amb
=
55
°
C.
handbook, halfpage
MLD890
10
3
10
2
10
1
1
10
IC (mA)
VCEsat
(mV)
10
2
10
3
10
4
1
(3)
(2)
(1)
Fig.7
Collector-emitter saturation voltage as a
function of collector current; typical values.
I
C
/I
B
= 20.
(1) T
amb
= 150
°
C.
(2) T
amb
= 25
°
C.
(3) T
amb
=
55
°
C.
handbook, halfpage
VCEsat
(mV)
MLD891
10
3
10
2
10
1
10
1
1
IC (mA)
10
10
2
10
3
10
4
(1)
(3)
(2)
Fig.8
Collector-emitter saturation voltage as a
function of collector current; typical values.
I
C
/I
B
= 50.
(1) T
amb
= 150
°
C.
(2) T
amb
= 25
°
C.
(3) T
amb
=
55
°
C.
handbook, halfpage
MLD892
4
10
3
10
2
10
1
1
10
IC (mA)
VCEsat
(mV)
10
2
10
3
10
4
10
(3)
(1)
(2)
Fig.9
Collector-emitter saturation voltage as a
function of collector current; typical values.
I
C
/I
B
= 100.
(1) T
amb
= 150
°
C.
(2) T
amb
= 25
°
C.
(3) T
amb
=
55
°
C.
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