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參數資料
| 型號： | PBSS5350SA |
| 英文描述： | 50 V low VCEsat PNP transistor |
| 中文描述： | 50伏低飽和壓降PNP型晶體管 |
| 文件頁數： | 2/12頁 |
| 文件大小： | 78K |
| 代理商： | PBSS5350SA |
2002 Oct 22
2
Philips Semiconductors
Objective specification
50 V low V
CEsat
PNP transistor
PBSS5350SA
FEATURES
Low collector-emitter saturation voltage V
CEsat
and
corresponding R
CEsat
High collector current capability I
C
and I
CM
High collector current gain h
FE
Less heat generation leading to higher efficiency.
APPLICATIONS
Low and medium power DC/DC convertors
Low voltage regulation (LDO)
MOSFET drivers
Supply line switching
Battery chargers.
DESCRIPTION
PNP low V
CEsat
transistor in a SOT54 plastic package.
NPN complement: PBSS4350SA.
MARKING
TYPE NUMBER
MARKING CODE
PBSS5350SA
5350SA
PINNING
PIN
DESCRIPTION
1
2
3
collector
base
emitter
handbook, halfpage
1
3
2
MAM280
1
2
3
Fig.1
Simplified outline (SOT54) and symbol.
QUICK REFERENCE DATA
SYMBOL
PARAMETER
MAX.
50
2
3
UNIT
V
CEO
I
C
I
CRP
collector-emitter voltage
collector current (DC)
repetitive peak collector
current
equivalent on-resistance
V
A
A
R
CEsat
135
m
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PBSS5350S | 50 V low VCEsat PNP transistor |
| PBSS8110S | 100 V, 1 A NPN low VCEsat (BISS) transistor |
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| PBW1CV | Assemblies |
| PBW3CL | Assemblies |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
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