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參數資料
| 型號： | PBSS5350SA |
| 英文描述： | 50 V low VCEsat PNP transistor |
| 中文描述： | 50伏低飽和壓降PNP型晶體管 |
| 文件頁數： | 4/12頁 |
| 文件大小： | 78K |
| 代理商： | PBSS5350SA |
2002 Oct 22
4
Philips Semiconductors
Objective specification
50 V low V
CEsat
PNP transistor
PBSS5350SA
CHARACTERISTICS
T
amb
= 25
°
C unless otherwise specified.
Note
1.
Pulse test: t
p
≤
300
μ
s;
δ ≤
0.02.
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
TYP.
MAX.
100
50
100
90
180
320
270
390
135
1.1
1.2
1.2
UNIT
I
CBO
collector-base cut-off current V
CB
=
50 V; I
E
= 0
200
200
200
130
80
100
90
nA
μ
A
nA
V
CB
=
50 V; I
E
= 0; T
j
= 150
°
C
V
EB
=
5 V; I
C
= 0
V
CE
=
2 V; I
C
=
100 mA
V
CE
=
2 V; I
C
=
500 mA
V
CE
=
2 V; I
C
=
1 A; note 1
V
CE
=
2 V; I
C
=
2 A; note 1
V
CE
=
2 V; I
C
=
3 A; note 1
I
C
=
500 mA; I
B
=
50 mA
I
C
=
1 A; I
B
=
50 mA
I
C
=
2 A; I
B
=
100 mA; note 1
I
C
=
2 A; I
B
=
200 mA; note 1
I
C
=
3 A; I
B
=
300 mA; note 1
I
C
=
2 A; I
B
=
200 mA; note 1
I
C
=
2 A; I
B
=
100 mA; note 1
I
C
=
3 A; I
B
=
300 mA; note 1
V
CE
=
2 V; I
C
=
1 A; note 1
I
C
=
100 mA; V
CE
=
5 V;
f = 100 MHz
V
CB
=
10 V; I
E
= I
e
= 0; f = 1 MHz
I
EBO
h
FE
emitter-base cut-off current
DC current gain
V
CEsat
collector-emitter saturation
voltage
mV
mV
mV
mV
mV
m
V
V
V
MHz
R
CEsat
V
BEsat
equivalent on-resistance
base-emitter saturation
voltage
V
BEon
f
T
base-emitter turn-on voltage
transition frequency
C
c
collector capacitance
35
pF
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PDF描述 |
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