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參數資料
| 型號： | Q67100-Q2126 |
| 廠商： | SIEMENS AG |
| 英文描述： | 1M x 4-Bit Dynamic RAM |
| 中文描述： | 100萬× 4位動態隨機存儲器 |
| 文件頁數： | 17/53頁 |
| 文件大小： | 418K |
| 代理商： | Q67100-Q2126 |
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HYB 39S64400/800/160BT(L)
64-MBit Synchronous DRAM
Data Book
17
12.99
AC Characteristics
1, 2
T
A
= 0 to 70
°
C;
V
SS
= 0 V;
V
DD
= 3.3 V
±
0.3 V,
t
T
= 1 ns
Parameter
Symb.
Limit Values
Unit
Note
-7.5
-8
min.
max.
min.
max.
Clock and Clock Enable
Clock Cycle Time
CAS Latency = 3
CAS Latency = 2
t
CK
7.5
10
–
–
8
10
–
–
ns
ns
–
Clock Frequency
CAS Latency = 3
CAS Latency = 2
t
CK
133
100
–
–
–
–
125
100
MHz
MHz
–
Access Time from Clock
CAS Latency = 3
CAS Latency = 2
t
AC
–
–
5.4
6
–
–
6
6
ns
ns
2, 3
Clock High Pulse Width
t
CH
t
CL
t
T
2.5
–
3
–
ns
–
Clock Low Pulse Width
2.5
–
3
–
ns
–
Transition Time
0.3
1.2
0.5
10
ns
–
Setup and Hold Times
Input Setup Time
t
IS
t
IH
t
CKS
t
CKH
t
RSC
t
SB
1.5
–
2
–
ns
4
Input Hold Time
0.8
–
1
–
ns
4
CKE Setup Time
1.5
–
2
–
ns
4
CKE Hold Time
0.8
–
1
–
ns
4
Mode Register Set-up Time
2
–
2
–
CLK
–
Power Down Mode Entry Time
0
7
0
8
ns
–
Common Parameters
Row to Column Delay Time
t
RCD
t
RP
t
RAS
t
RC
t
RRD
20
–
20
–
ns
5
Row Precharge Time
20
–
20
–
ns
5
Row Active Time
45
100k
48
100k
ns
5
Row Cycle Time
67
–
70
–
ns
5
Activate(a) to Activate(b) Command
Period
14
–
16
–
ns
5
CAS(a) to CAS(b) Command Period
t
CCD
1
–
1
–
CLK
–
Refresh Cycle
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| Q67100-Q2148 | 3.3V 256 K x 16-Bit EDO-DRAM 3.3V 256 K x 16-Bit EDO-DRAM Low power version with Self Refresh |
| Q67100-Q2246 | 3.3V 16M x 64-Bit EDO-DRAM Module 3.3V 16M x 72-Bit EDO-DRAM Module |
| Q67100-Q2330 | 8M x 32-Bit EDO-DRAM Module |
| Q67100-Q2366 | 4M x 36-Bit EDO - DRAM Module |
| Q67100-Q2367 | 4M x 36-Bit EDO - DRAM Module |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| Q67100-Q2148 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:3.3V 256 K x 16-Bit EDO-DRAM 3.3V 256 K x 16-Bit EDO-DRAM Low power version with Self Refresh |
| Q67100-Q2149 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:3.3V 256 K x 16-Bit EDO-DRAM 3.3V 256 K x 16-Bit EDO-DRAM Low power version with Self Refresh |
| Q67100-Q2156 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:4M x 32-Bit EDO-DRAM Module |
| Q67100-Q2157 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:4M x 32-Bit EDO-DRAM Module |
| Q67100-Q2176 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:3.3V 1M x 64-Bit EDO-DRAM Module 3.3V 1M x 72-Bit EDO-DRAM Module |
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