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參數(shù)資料
型號： Q67100-Q2126
廠商： SIEMENS AG
英文描述： 1M x 4-Bit Dynamic RAM
中文描述： 100萬× 4位動態(tài)隨機存儲器
文件頁數(shù)： 36/53頁
文件大小： 418K
代理商： Q67100-Q2126
HYB39S64400/800/160BT(L)
64MBit Synchronous DRAM
Semiconductor Group
35
12.3 Clock Suspension During Burst Write CAS Latency = 2
Bank A
DQM
Addr.
DQ
AP
BS
DAx0
Command
Write
Activate
Command
Bank A
Hi-Z
Clock
Suspend
Clock
Suspend
2 Cycles
1 Cycle
DAx1
CAx
RAx
RAx
DAx3
Clock
Suspend
3 Cycles
DAx2
SPT03916
T7
WE
CAS
RAS
CS
CKE
CLK
CK2
t
T0
T1
T2
T3
T4
T6
T5
T16
T8
T9
T10
T11
T14
T12
T13
T15
Burst Length = 4, CAS Latency = 2
T18
T17
T19
T20
T21 T22
相關(guān)PDF資料
PDF描述
Q67100-Q2148 3.3V 256 K x 16-Bit EDO-DRAM 3.3V 256 K x 16-Bit EDO-DRAM Low power version with Self Refresh
Q67100-Q2246 3.3V 16M x 64-Bit EDO-DRAM Module 3.3V 16M x 72-Bit EDO-DRAM Module
Q67100-Q2330 8M x 32-Bit EDO-DRAM Module
Q67100-Q2366 4M x 36-Bit EDO - DRAM Module
Q67100-Q2367 4M x 36-Bit EDO - DRAM Module
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參數(shù)描述
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Q67100-Q2156 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:4M x 32-Bit EDO-DRAM Module
Q67100-Q2157 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:4M x 32-Bit EDO-DRAM Module
Q67100-Q2176 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:3.3V 1M x 64-Bit EDO-DRAM Module 3.3V 1M x 72-Bit EDO-DRAM Module
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