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參數資料
型號: Q67100-Q2126
廠商: SIEMENS AG
英文描述: 1M x 4-Bit Dynamic RAM
中文描述: 100萬× 4位動態隨機存儲器
文件頁數: 34/53頁
文件大小: 418K
代理商: Q67100-Q2126
HYB39S64400/800/160BT(L)
64MBit Synchronous DRAM
Semiconductor Group
33
12. Clock Suspension ( Using CKE)
12.1 Clock Suspension During Burst Read CAS Latency = 2
Command
Bank A
DQM
Addr.
DQ
AP
BS
Read
Command
Bank A
Activate
Hi-Z
Suspend
1 Cycle
Clock
Ax0
CSL
t
Ax1
CAx
RAx
RAx
SPT03914
t
Suspend
3 Cycles
Suspend
2 Cycles
Clock
Ax2
CSL
t
Clock
Ax3
HZ
T7
WE
CAS
RAS
CS
CKE
CLK
CK2
t
T0
T1
T2
T3
T4
T6
T5
T16
T8
T9
T10
T11
T14
T12
T13
T15
Burst Length = 4, CAS Latency = 2
T18
T17
T19
T20
T21 T22
CSL
t
相關PDF資料
PDF描述
Q67100-Q2148 3.3V 256 K x 16-Bit EDO-DRAM 3.3V 256 K x 16-Bit EDO-DRAM Low power version with Self Refresh
Q67100-Q2246 3.3V 16M x 64-Bit EDO-DRAM Module 3.3V 16M x 72-Bit EDO-DRAM Module
Q67100-Q2330 8M x 32-Bit EDO-DRAM Module
Q67100-Q2366 4M x 36-Bit EDO - DRAM Module
Q67100-Q2367 4M x 36-Bit EDO - DRAM Module
相關代理商/技術參數
參數描述
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Q67100-Q2149 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:3.3V 256 K x 16-Bit EDO-DRAM 3.3V 256 K x 16-Bit EDO-DRAM Low power version with Self Refresh
Q67100-Q2156 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:4M x 32-Bit EDO-DRAM Module
Q67100-Q2157 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:4M x 32-Bit EDO-DRAM Module
Q67100-Q2176 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:3.3V 1M x 64-Bit EDO-DRAM Module 3.3V 1M x 72-Bit EDO-DRAM Module
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