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參數(shù)資料
| 型號： | Q67100-Q2126 |
| 廠商： | SIEMENS AG |
| 英文描述： | 1M x 4-Bit Dynamic RAM |
| 中文描述： | 100萬× 4位動態(tài)隨機存儲器 |
| 文件頁數(shù)： | 20/53頁 |
| 文件大小： | 418K |
| 代理商： | Q67100-Q2126 |
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HYB 39S64400/800/160BT(L)
64-MBit Synchronous DRAM
Data Book
20
12.99
Package Outlines
GPX09039
22.22
±0.13
1)
1
27
54
28
0.35
+0.1
-0.05
0
1
0.1
10.16
±0.13
±0.2
11.76
±0.1
0.5
Does not include plastic or metal protrusion of 0.15 max per side
Does not include plastic protrusion of 0.25 max per side
Does not include dambar protrusion of 0.13 max per side
1)
54x
±
±
0
-
+
15
±5
15
±5
6
2.5 max
2)
3)
2)
3)
Index Marking
0.8
20.8
26x 0.8 =
0.2
M
54x
Plastic Package, P-TSOPII-54
(400 mil, 0.8 mm lead pitch)
Thin Small Outline Package, SMD
Sorts of Packing
Package outlines for tubes, trays etc. are contained in our
Data Book “Package Information”.
SMD = Surface Mounted Device
Dimensions in mm
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| Q67100-Q2148 | 3.3V 256 K x 16-Bit EDO-DRAM 3.3V 256 K x 16-Bit EDO-DRAM Low power version with Self Refresh |
| Q67100-Q2246 | 3.3V 16M x 64-Bit EDO-DRAM Module 3.3V 16M x 72-Bit EDO-DRAM Module |
| Q67100-Q2330 | 8M x 32-Bit EDO-DRAM Module |
| Q67100-Q2366 | 4M x 36-Bit EDO - DRAM Module |
| Q67100-Q2367 | 4M x 36-Bit EDO - DRAM Module |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| Q67100-Q2148 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:3.3V 256 K x 16-Bit EDO-DRAM 3.3V 256 K x 16-Bit EDO-DRAM Low power version with Self Refresh |
| Q67100-Q2149 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:3.3V 256 K x 16-Bit EDO-DRAM 3.3V 256 K x 16-Bit EDO-DRAM Low power version with Self Refresh |
| Q67100-Q2156 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:4M x 32-Bit EDO-DRAM Module |
| Q67100-Q2157 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:4M x 32-Bit EDO-DRAM Module |
| Q67100-Q2176 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:3.3V 1M x 64-Bit EDO-DRAM Module 3.3V 1M x 72-Bit EDO-DRAM Module |
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