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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | Q67100-Q2126 |
| 廠商： | SIEMENS AG |
| 英文描述： | 1M x 4-Bit Dynamic RAM |
| 中文描述： | 100萬(wàn)× 4位動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 42/53頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 418K |
| 代理商： | Q67100-Q2126 |
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HYB39S64400/800/160BT(L)
64MBit Synchronous DRAM
Semiconductor Group
41
16.2 CAS Latency = 3
Ay3
CAw
Addr.
BS
DQ
DQM
AP
Z
Hi
Bank A
Activate
Command
Read
Command
Bank A
RAw
RAw
Bank A
Command
Aw1
Aw0
Read
Command
Bank A
Aw2 Aw3
CAx
Read
Ax1
Ax0
Ay0
Precharge
Command
Bank A
Ay1 Ay2
CAy
CS
WE
CAS
RAS
CKE
CLK
T0
CK3
t
T1
T2
T8
T4
T3
T5
T6
T7
T11
T9
T10
T12
T13
Bank A
Read
Command
Activate
Command
Bank A
RAz
RAz
CAz
SPT03922
Burst Length = 4, CAS Latency = 3
T19
T16
T15
T14
T17
T18
T20
T21 T22
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| Q67100-Q2148 | 3.3V 256 K x 16-Bit EDO-DRAM 3.3V 256 K x 16-Bit EDO-DRAM Low power version with Self Refresh |
| Q67100-Q2246 | 3.3V 16M x 64-Bit EDO-DRAM Module 3.3V 16M x 72-Bit EDO-DRAM Module |
| Q67100-Q2330 | 8M x 32-Bit EDO-DRAM Module |
| Q67100-Q2366 | 4M x 36-Bit EDO - DRAM Module |
| Q67100-Q2367 | 4M x 36-Bit EDO - DRAM Module |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| Q67100-Q2148 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:3.3V 256 K x 16-Bit EDO-DRAM 3.3V 256 K x 16-Bit EDO-DRAM Low power version with Self Refresh |
| Q67100-Q2149 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:3.3V 256 K x 16-Bit EDO-DRAM 3.3V 256 K x 16-Bit EDO-DRAM Low power version with Self Refresh |
| Q67100-Q2156 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:4M x 32-Bit EDO-DRAM Module |
| Q67100-Q2157 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:4M x 32-Bit EDO-DRAM Module |
| Q67100-Q2176 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:3.3V 1M x 64-Bit EDO-DRAM Module 3.3V 1M x 72-Bit EDO-DRAM Module |
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