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參數資料
| 型號： | Q67100-Q2126 |
| 廠商： | SIEMENS AG |
| 英文描述： | 1M x 4-Bit Dynamic RAM |
| 中文描述： | 100萬× 4位動態隨機存儲器 |
| 文件頁數： | 18/53頁 |
| 文件大?。?/td> | 418K |
| 代理商： | Q67100-Q2126 |
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HYB 39S64400/800/160BT(L)
64-MBit Synchronous DRAM
Data Book
18
12.99
Refresh Period
(4096 cycles)
t
REF
–
64
–
64
ms
–
Self Refresh Exit Time
t
SREX
1
–
1
–
CLK
6
Read Cycle
Data Out Hold Time
t
OH
t
LZ
t
HZ
t
DQZ
3
–
3
–
ns
2
Data Out to Low Impedance Time
1
–
0
–
ns
–
Data Out to High Impedance Time
3
7
3
8
ns
–
DQM Data Out Disable Latency
–
2
–
2
CLK
–
Write Cycle
Write Recovery Time
t
WR
t
DQW
2
–
2
–
CLK
–
DQM Write Mask Latency
0
–
0
–
CLK
–
AC Characteristics
(cont’d)
1, 2
T
A
= 0 to 70
°
C;
V
SS
= 0 V;
V
DD
= 3.3 V
±
0.3 V,
t
T
= 1 ns
Parameter
Symb.
Limit Values
Unit
Note
-7.5
-8
min.
max.
min.
max.
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| Q67100-Q2148 | 3.3V 256 K x 16-Bit EDO-DRAM 3.3V 256 K x 16-Bit EDO-DRAM Low power version with Self Refresh |
| Q67100-Q2246 | 3.3V 16M x 64-Bit EDO-DRAM Module 3.3V 16M x 72-Bit EDO-DRAM Module |
| Q67100-Q2330 | 8M x 32-Bit EDO-DRAM Module |
| Q67100-Q2366 | 4M x 36-Bit EDO - DRAM Module |
| Q67100-Q2367 | 4M x 36-Bit EDO - DRAM Module |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| Q67100-Q2148 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:3.3V 256 K x 16-Bit EDO-DRAM 3.3V 256 K x 16-Bit EDO-DRAM Low power version with Self Refresh |
| Q67100-Q2149 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:3.3V 256 K x 16-Bit EDO-DRAM 3.3V 256 K x 16-Bit EDO-DRAM Low power version with Self Refresh |
| Q67100-Q2156 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:4M x 32-Bit EDO-DRAM Module |
| Q67100-Q2157 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:4M x 32-Bit EDO-DRAM Module |
| Q67100-Q2176 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:3.3V 1M x 64-Bit EDO-DRAM Module 3.3V 1M x 72-Bit EDO-DRAM Module |
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