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參數資料
| 型號： | Q67100-Q2246 |
| 廠商： | SIEMENS AG |
| 英文描述： | 3.3V 16M x 64-Bit EDO-DRAM Module 3.3V 16M x 72-Bit EDO-DRAM Module |
| 中文描述： | 3.3 16米x 64位江戶內存3.3V的16米x 72位江戶記憶體模組 |
| 文件頁數： | 29/53頁 |
| 文件大小： | 418K |
| 代理商： | Q67100-Q2246 |
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HYB39S64400/800/160BT(L)
64MBit Synchronous DRAM
Semiconductor Group
28
8. Burst Termination
8.1 Termination of a Full Page Burst Read Operation
8.2 Termination of a Full Page Burst Write Operation
SPT03722
CLK
NOP
T0
T1
T2
T3
T4
T5
T6
T7
T8
Command
DOUT A0
DOUT A1 DOUT A2 DOUT A3
NOP
NOP
Burst
Terminate
NOP
NOP
NOP
NOP
latency = 2
, DQ’s
CK2
t
DOUT A3
CK3
latency = 3
t
, DQ’s
DOUT A1
DOUT A0
DOUT A2
(CAS latency = 2, 3)
CAS
CAS
Read A
The burst ends after a delay equal to the CAS latency.
Input data for the Write is masked.
T4
latency = 2, 3
DQ’s
NOP
(CAS latency = 2, 3)
T0
Command
CAS
CLK
DIN A1
T2
NOP
DIN A0
Write A
T1
DIN A2
NOP
T3
SPT03419
T6
Burst
Terminate
NOP
T5
NOP
NOP
T7
NOP
T8
don’t care
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| Q67100-Q2330 | 8M x 32-Bit EDO-DRAM Module |
| Q67100-Q2366 | 4M x 36-Bit EDO - DRAM Module |
| Q67100-Q2367 | 4M x 36-Bit EDO - DRAM Module |
| Q67100-Q518 | 1 M x 1-Bit Dynamic RAM Low Power 1 M ⅴ 1-Bit Dynamic RAM |
| Q67100-Q519 | 1 M x 1-Bit Dynamic RAM Low Power 1 M ⅴ 1-Bit Dynamic RAM |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| Q67100-Q2330 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:8M x 32-Bit EDO-DRAM Module |
| Q67100-Q2366 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:4M x 36-Bit EDO - DRAM Module |
| Q67100-Q2367 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:4M x 36-Bit EDO - DRAM Module |
| Q67100-Q2776 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:64-MBit Synchronous DRAM |
| Q67100-Q2781 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:64-MBit Synchronous DRAM |
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