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參數(shù)資料
型號(hào): Q67100-Q2246
廠商: SIEMENS AG
英文描述: 3.3V 16M x 64-Bit EDO-DRAM Module 3.3V 16M x 72-Bit EDO-DRAM Module
中文描述: 3.3 16米x 64位江戶內(nèi)存3.3V的16米x 72位江戶記憶體模組
文件頁(yè)數(shù): 43/53頁(yè)
文件大小: 418K
代理商: Q67100-Q2246
HYB39S64400/800/160BT(L)
64MBit Synchronous DRAM
Semiconductor Group
42
17. Random Column write (Page within same Bank)
17.1 CAS Latency = 2
DBy1
Addr.
BS
DQ
DQM
AP
Activate
Command
Bank A
Z
Hi
RAw
RAw
Command
Bank B
Write
Command
Bank B
Write
DBw0
DBw1
CAw
CAx
Write
Command
Bank B
DBw3
DBw2
DBx0
DBx1
DBy0
CAy
CS
WE
CAS
RAS
CKE
CLK
T0
CK2
t
T1
T2
T8
T4
T3
T5
T6
T7
T11
T9
T10
T12
T13
Precharge
Command
Bank B
DBy2
DBy3
Activate
Command
Bank B
RAz
RAz
SPT03923
Read
Command
Bank B
CAz
Burst Length = 4, CAS Latency = 2
T19
T16
T15
T14
T17
T18
T20
T21 T22
DBz1
DBz0
DBz2
DBz3
相關(guān)PDF資料
PDF描述
Q67100-Q2330 8M x 32-Bit EDO-DRAM Module
Q67100-Q2366 4M x 36-Bit EDO - DRAM Module
Q67100-Q2367 4M x 36-Bit EDO - DRAM Module
Q67100-Q518 1 M x 1-Bit Dynamic RAM Low Power 1 M ⅴ 1-Bit Dynamic RAM
Q67100-Q519 1 M x 1-Bit Dynamic RAM Low Power 1 M ⅴ 1-Bit Dynamic RAM
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
Q67100-Q2330 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:8M x 32-Bit EDO-DRAM Module
Q67100-Q2366 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:4M x 36-Bit EDO - DRAM Module
Q67100-Q2367 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:4M x 36-Bit EDO - DRAM Module
Q67100-Q2776 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:64-MBit Synchronous DRAM
Q67100-Q2781 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:64-MBit Synchronous DRAM
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