- 您現在的位置：買賣IC網 > PDF目錄361234 > Q67100-Q2246 (SIEMENS AG) 3.3V 16M x 64-Bit EDO-DRAM Module 3.3V 16M x 72-Bit EDO-DRAM Module PDF資料下載
參數資料
| 型號： | Q67100-Q2246 |
| 廠商： | SIEMENS AG |
| 英文描述： | 3.3V 16M x 64-Bit EDO-DRAM Module 3.3V 16M x 72-Bit EDO-DRAM Module |
| 中文描述： | 3.3 16米x 64位江戶內存3.3V的16米x 72位江戶記憶體模組 |
| 文件頁數： | 38/53頁 |
| 文件大小： | 418K |
| 代理商： | Q67100-Q2246 |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁當前第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁第45頁第46頁第47頁第48頁第49頁第50頁第51頁第52頁第53頁
HYB39S64400/800/160BT(L)
64MBit Synchronous DRAM
Semiconductor Group
37
13. Power Down Mode and Clock Suspend
BS
Clock Suspend
Mode Exit
Clock Suspend
Mode Entry
Addr.
DQM
DQ
AP
Standby
Active
Activate
Command
Bank A
Hi-Z
Read
Command
Bank A
RAx
RAx
CAx
Power Down
Mode Entry
Power Down
Mode Exit
SPT03918
End
Clock Mask
Clock Mask
Start
Ax0
Ax1
Ax2
Precharge
Command
Bank A
Ax3
t
HZ
Precharge
Standby
Any
Command
T7
CAS
WE
RAS
CS
CKE
CLK
CK2
t
T0
T1
T2
CKS
t
T3
T4
T6
T5
T16
T8
T9
T10
T11
T14
T12
T13
T15
Burst Length = 4, CAS Latency = 2
CKS
t
T18
T17
T19
T20
T21 T22
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| Q67100-Q2330 | 8M x 32-Bit EDO-DRAM Module |
| Q67100-Q2366 | 4M x 36-Bit EDO - DRAM Module |
| Q67100-Q2367 | 4M x 36-Bit EDO - DRAM Module |
| Q67100-Q518 | 1 M x 1-Bit Dynamic RAM Low Power 1 M ⅴ 1-Bit Dynamic RAM |
| Q67100-Q519 | 1 M x 1-Bit Dynamic RAM Low Power 1 M ⅴ 1-Bit Dynamic RAM |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| Q67100-Q2330 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:8M x 32-Bit EDO-DRAM Module |
| Q67100-Q2366 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:4M x 36-Bit EDO - DRAM Module |
| Q67100-Q2367 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:4M x 36-Bit EDO - DRAM Module |
| Q67100-Q2776 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:64-MBit Synchronous DRAM |
| Q67100-Q2781 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:64-MBit Synchronous DRAM |
發布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。